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Getrennte Halbleiter-Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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NTTFS5116PLTAG |
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
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Einheitlich
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BSS138 |
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
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Einheitlich
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Die in Artikel 4 Absatz 1 Buchstabe b genannten Risikopositionen werden nicht berücksichtigt. |
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
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Texas Instruments
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FQP50N06L |
MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3
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Einheitlich
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FDMS2672 |
MOSFET N-CH 200V 3,7A/20A 8MLP
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Einheitlich
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2N7002T-7-F |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
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Dioden eingebunden
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ZVP3310FTA |
MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
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Dioden eingebunden
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IRFBG30PBF |
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
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Vishay Siliconix
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IRF9540PBF |
MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
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Vishay Siliconix
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IRF840PBF |
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
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Vishay Siliconix
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FDS8880 |
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für |
MOSFET N-CH 60V 2,7A SOT23
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Infineon Technologies
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SI1012R-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
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Vishay Siliconix
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DMG2301L-7 |
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
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Dioden eingebunden
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2N7002K-7 |
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
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Dioden eingebunden
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FCPF380N60E |
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
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Einheitlich
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SQM120P10_10M1LGE3 |
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
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Vishay Siliconix
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DMN2300U-7 |
MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
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Dioden eingebunden
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FDMS86163P |
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
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Einheitlich
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SUD50P06-15-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
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Vishay Siliconix
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SI7155DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
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Vishay Siliconix
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NDT3055L |
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
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Einheitlich
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FDMS10C4D2N |
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
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Einheitlich
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FDMC7692S |
MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
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Einheitlich
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IRF9520 PBF |
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
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Vishay Siliconix
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PMV100EPAR |
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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DMG3404L-7 |
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
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Vishay Siliconix
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DMP2022LSS-13 |
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
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Dioden eingebunden
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SI2302CDS-T1-E3 |
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
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Vishay Siliconix
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DMP2120U-7 |
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
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Dioden eingebunden
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2N7002W-7-F |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
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Dioden eingebunden
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RUM002N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
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Rohm Halbleiter
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. |
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
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Rohm Halbleiter
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. |
DIODE SCHOTTKY 30V 3A 6CPH
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Einheitlich
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
DIODE SCHOTTKY 45V 10A POWERDI5
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Dioden eingebunden
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BAV5004WS-7 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen in Anhang I der Rich
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Dioden eingebunden
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S5J |
DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
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Taiwan Semiconductor Corporation
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ER3J |
DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
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SMC-Diodenlösungen
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RB168M150TR |
DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDU
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Rohm Halbleiter
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RB168M-40TR |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU
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Rohm Halbleiter
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RB060L-40TE25 |
DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDS
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Rohm Halbleiter
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SS310 |
DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
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Taiwan Semiconductor Corporation
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RB060M-30TR |
Diode SCHOTTKY 30V 2A PMDU
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Rohm Halbleiter
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SS16 |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
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Taiwan Semiconductor Corporation
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SS110 |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
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Taiwan Semiconductor Corporation
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SS210 |
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BAT 54A |
SOT-23, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIOD
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Taiwan Semiconductor Corporation
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RB520S-30 |
Die Anzeige ist in der Anzeige zu finden.
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Taiwan Semiconductor Corporation
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