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Gedächtnis
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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MT29F4G08ABADAWP: D |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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MT29F32G08CBADBWPR: D |
IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 1G SPI 166MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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W25X20VSNIG |
IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
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Mikrontechnologie
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MT4E-Funktion |
IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
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Mikrontechnologie
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M29W128GH70N6E |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
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Mikrontechnologie
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W25X16VSSIG |
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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W25Q80JVSNIQ |
IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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N25Q032A13ESC40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
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Mikrontechnologie
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M28W160CT70N6E |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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S29GL256N11TFI010 |
3.0 Page Mode Flash-Speicher mit 110 nm MirrorBitTM-Prozesstechnologie
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Spansion / Zypressen
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K9F4G08U0B-PCB0 |
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Speicher
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Halbleiter von Samsung
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W25X16AVSSIG |
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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W25X64VSFIG |
IC FLASH 64M SPI 75MHZ 16SOIC
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Winbond Elektronik
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K4S641632K-UC60 |
64 MB K-Die SDRAM
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Halbleiter von Samsung
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K9F2G08U0D-SCB0 |
256 M x 8 Bit NAND-Flashspeicher
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Halbleiter von Samsung
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K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND-Flashspeicher
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Halbleiter von Samsung
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S29JL032H70TFI010 |
32M BIT CMOS 3,0V Flash-Speicher
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Spansion / Zypressen
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Die Kommission wird die folgenden Maßnahmen ergreifen: |
Speicher-IC
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Halbleiter von Samsung
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PC28F256M29EWLA |
IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA
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Mikrontechnologie
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MT25QL128ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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MT25QU128ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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MT28EW01GABA1HPC-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA
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Mikrontechnologie
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MT28EW512ABA1HJS-0SIT |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
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Mikrontechnologie
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M29W400DB55N6E |
IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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MT25QU256ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 128M PARALLEL 56VFBGA
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Mikrontechnologie
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MT25QL512ABB8E12-0AUT |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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Die Angabe der Angabe der Angabe der Angabe des Anschlusses ist in der Angabe des Anschlusses zu machen. |
IC DRAM 4G PARALLEL 533 MHz
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Mikrontechnologie
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MT25QU01GBBB8E12-0AUT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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MTFC8GACAENS-AAT |
IC FLASH 64G MMC
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Mikrontechnologie
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M29W256GL70N6E |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
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Mikrontechnologie
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MT40A512M16LY-075: E |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
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Mikrontechnologie
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MT25QL02GCBB8E12-0AAT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D |
IC FLASH 32G PARALLEL 166MHZ
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Mikrontechnologie
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JS28F256J3F105A |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
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Mikrontechnologie
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W9425G6EH-5 |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
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Winbond Elektronik
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,6 GHz
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Mikrontechnologie
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PC28F00AM29EWHA |
IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA
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Mikrontechnologie
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PC28F00AP30EFA |
IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA
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Mikrontechnologie
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JS28F00AP33TFA |
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
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Mikrontechnologie
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PC28F512P30EFA |
IC FLASH 512M PARALLEL 64EASYBGA
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Mikrontechnologie
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JS28F512P33TFA |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
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Mikrontechnologie
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JS28F512P30BFA |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
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Mikrontechnologie
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W25X20AVSNIG |
IC FLASH 2M SPI 100MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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W25Q64BVSFIG |
IC FLASH 64M SPI 80MHZ 16SOIC
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Winbond Elektronik
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W25X10BVSNIG |
IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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W25X40BVSSIG |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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