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Gedächtnis
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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MT25QU01GBBB8E12-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 166MHZ TBGA
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Mikrontechnologie
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MT25QU512ABB8E12-0AUT |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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W988D6FBGX6I |
IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
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Winbond Elektronik
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M29W320EB70ZE6E |
IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA
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Mikrontechnologie
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PC28F00BP30EFA |
IC FLASH 2G PARALLEL 64EASYBGA
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen, die in der Union in Betrieb sind. |
IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
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Mikrontechnologie
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MT25QU02GCBB8E12-0AAT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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W949D6DBHX5E |
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
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Winbond Elektronik
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MT47H64M8SH-25E: H |
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
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Mikrontechnologie
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W9812G6JB-6I |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
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Winbond Elektronik
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MTFC64GAJAEDQ-AIT |
IC FLASH 512G MMC
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Mikrontechnologie
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MT4E4G8KVA-083H:G |
IC DRAM 32G PARALLEL 1,2 GHz
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Mikrontechnologie
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W25M512JVEIQ |
IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON
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Winbond Elektronik
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
IC FLASH 64M PARALLEL 64EASYBGA
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Mikrontechnologie
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W632GU6KB12I |
IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
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Winbond Elektronik
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MT41K256M8DA-125: K |
IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
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Mikrontechnologie
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W25Q80BLSNIG |
IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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W25Q80BLSVIG |
IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP
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Winbond Elektronik
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MT25QL01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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USE Gewichtung von Gewichtungsgehalten |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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MT25QU01GBBB1EW9-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
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Mikrontechnologie
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MT28FW01GABA1LPC-0AAT |
IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
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Mikrontechnologie
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MT29E1T08CUCCBH8-6: C |
IC FLASH 1T PARALLEL 167 MHz
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 1G PARALLEL FBGA
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 1G PARALLEL FBGA
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Mikrontechnologie
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MT29F4G16ABADAH4-AIT: |
NAND Flash SLC 4G 256MX16 FBGA
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Mikrontechnologie
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M29W320DB70N6E |
IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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MT48LC16M8A2P-75:G |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
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Mikrontechnologie
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MT25QU512ABB8ESF-0SIT |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC
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Mikrontechnologie
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MTFC16GAKAEDQ-AIT |
IC FLASH 128G MMC
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Mikrontechnologie
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MTFC16GAKAEJP-AIT |
IC FLASH 128G MMC
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC-RAM 8G PARALLEL 1,75 GHz
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 genannten Maßnahmen gelten nicht für die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1372/2008 genannten Erzeugnisse. |
IC FLASH 1T MMC
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IC FLASH 64M PARALLEL 64EASYBGA
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Mikrontechnologie
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MTFC32GAPALNA-AIT |
IC FLASH 256G MMC
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Mikrontechnologie
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MTFC8GAMALBH-AIT |
IC FLASH 64G MMC
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Mikrontechnologie
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M29W640FB70N6E |
IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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M29W800DB70N6E |
IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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W27C512-45Z |
IC EEPROM 512K PARALLEL 28DIP
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Winbond Elektronik
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W25X40VSSIG |
IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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W25X32VSSIG |
IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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MT25QU128ABB8ESF-0AUT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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M28W320FCB70N6E |
IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
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Mikrontechnologie
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Die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Bedingungen gelten nicht für die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Zwecke. |
EMMC 1024G MMC5.1 J59X AAT
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Mikrontechnologie
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MT25QU128ABA8E12-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 24TBGA
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Mikrontechnologie
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MT25QL256ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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MT25QL256ABA8ESF-0AAT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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