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fabricant:
Mikrontechnologie
Beschreibung:
IC DRAM 4G PARALLEL 533 MHz
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Technologie:
SDRAM - mobile LPDDR2
Produktkategorie:
Speicher-ICs
Speichertypen:
Flüchtig
Fabrikbestand:
0
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
-
Zugriffszeit:
-
Speicherformat:
DRAM
Status des Teils:
Aktiv
Speichergröße:
4Gb (128M x 32)
Verpackung:
-
@ qty:
0
Betriebstemperatur:
-40°C | 105°C (TC)
Minimale Quantität:
2100
Speicheroberfläche:
Parallel
Packung / Gehäuse:
-
Typ der Montage:
-
Uhrfrequenz:
533MHz
Spannung - Versorgung:
1.14 V ~ 1.95 V
Reihe:
-
Hersteller:
Mikrontechnologie
Einleitung
Die EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D, von Micron Technology, sind Speicher-ICs.Was wir anbieten haben wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt,die in Original-und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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