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Halbleiter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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MAC7121MAG40 |
ARM-Mikrocontroller - MCU MAC7121 ohne Bus 16CH A/D
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Freescale / NXP
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SPC560D40L3C4E0X |
ARM-Mikrocontroller - MCU MID-Mikrocontroller
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STMikroelektronik
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MK20DN512ZVLK10 |
ARM Mikrocontroller - MCU KINETIS 512K USB
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Freescale / NXP
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MKE02Z64VLD4R |
ARM Mikrocontroller - MCU BL Mikrocontroller
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Freescale / NXP
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Produkte. |
ARM Mikrocontroller - MCU 32 KB Flash 4 KB RAM
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Silikonlabs
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SI7540DP-T1-E3 |
MOSFET N- und P-KANAL 30V
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Vishay Halbleiter
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IXFX32N50Q |
MOSFET 32 Ampere 500V 0,15 Rds
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IXYS
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IXTH13N110 |
MOSFET 13 Ampere 1100V 0,92 Rds
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IXYS
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IXFH26N50 |
MOSFET-Diod Id26 BVdass500
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IXYS
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IXFK64N60P |
MOSFET 600V 64A
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IXYS
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IXFK30N100Q2 |
MOSFET 30 Ampere 1000V 0,35 Rds
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IXYS
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2SK1058-E |
MOSFET Leistung MOSFET
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Renesas Electronics
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FQP20N06L |
MOSFET 60V N-Kanal QFET Logische Ebene
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Fairchild Halbleiter
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NX1029X, 115 |
MOSFET 60/50V, 330/170 mA N/P-ch-Grench MOSFET
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Nexperia
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2N7002VC-7 |
MOSFET Dual-N-Channel
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Dioden eingebunden
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SQJA86EP-T1_GE3 |
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualifiziert
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Vishay Halbleiter
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DMP1045U-7 |
MOSFET MOSFET BVDSS
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Dioden eingebunden
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IPW60R037P7 |
MOSFET HOHES POWER_NEW
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Infineon Technologies
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PMZ350UPEYL |
MOSFET 20V P-Kanal-Grench-MOSFET
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Nexperia
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für Fahrzeuge, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
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Infineon Technologies
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FDMC86102 |
MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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Siehe auch APT94N65B2C3G |
MOSFET Leistung MOSFET - CoolMOS
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Mikrosemi
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TPH1400ANH,L1Q |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
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Toshiba
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IRF7103TRPBF |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3,0A
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Infineon Technologies
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FDC637AN |
MOSFET SSOT-6 N-CH 20V
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Fairchild Halbleiter
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IXFR40N90P |
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1,2Kv Rot Rds
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. |
MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
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Infineon Technologies
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IPB180N04S4-H0 |
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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IRF9540NSTRRPBF |
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64,7nC
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Infineon Technologies
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CPC-3701CTR |
MOSFET N-Kanal FET 250 V, 360 mA
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IXYS integrierte Schaltungen
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen. |
MOSFET 40V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH
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Vishay Halbleiter
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IRF7342TRPBF |
MOSFET MOSFT DUAL PCh -55V 3,4A
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IR / Infineon
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FDG6332C |
MOSFET 20V N&P-Kanal-Leistungsgraben
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungen. |
MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III
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Vishay Halbleiter
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SIRA14DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 20A N-Ch G-IV
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Vishay Halbleiter
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SI1050X-T1-GE3 |
MOSFET 8.0V 1.34A 0.236W 86mohm @ 4.5V
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Vishay Halbleiter
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IRFBC40PBF |
MOSFET N-Chan 600V 6,2 Ampere
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Vishay Halbleiter
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SI9926CDY-T1-GE3 |
MOSFET 20V 8,0A 3,1W 18mohm @ 4,5V
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Vishay Halbleiter
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MTI85W100GC |
MOSFET 3-Phase Vollbrücke mit Trench-MOSFETs
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IXYS
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FDS6680AS |
MOSFET 30V N-Kanal-PowerTrench SyncFET
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Fairchild Halbleiter
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SI9435BDY-T1-E3 |
MOSFET 30V 5,7A 0,042 Ohm
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Vishay Halbleiter
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ZXMP4A16GTA |
MOSFET 40V P-Chnl UMOS
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Dioden eingebunden
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Einheitliche Prüfungen |
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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IRL7486MTRPBF |
Einzelner N-Kanal HEXFET MOSFET 40V
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IR / Infineon
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SPW32N50C3 |
MOSFET N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
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Infineon Technologies
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FCH76N60NF |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS
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Fairchild Halbleiter
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IRFP27N60KPBF |
MOSFET N-Chan 600V 27 Ampere
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Vishay Halbleiter
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IPW65R080CFD |
MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2
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Infineon Technologies
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IPW60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6
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Infineon Technologies
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Einheit für die Bereitstellung von Daten |
MOSFET N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6
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Infineon Technologies
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