SIR873DP-T1-GE3
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
48 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
47.5mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1805 pF @ 75 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET® Gen IV
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
37A (Tc)
Power Dissipation (Max):
104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIR873
Einleitung
P-Kanal 150 V 37A (Tc) 104W (Tc) Oberflächenbefestigung PowerPAK® SO-8
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MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Siehe auch Anhang I Abschnitt I.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
SQSA12CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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2N7002E-T1-E3 |
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SIR872ADP-T1-RE3 |
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SIR880ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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SQSA12CENW-T1_GE3 |
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
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