Siehe auch Anhang I Abschnitt I.
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.6V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
54 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1855 pF @ 40 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Power Dissipation (Max):
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Base Product Number:
SIJ478
Einleitung
N-Kanal 80 V 60 A (Tc) 5 W (Ta), 62,5 W (Tc) Oberflächenbefestigung PowerPAK® SO-8
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SQSA12CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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2N7002E-T1-E3 |
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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SQSA12CENW-T1_GE3 |
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
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