Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Daten zu erfassen.
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
34 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
140mOhm @ 11A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (maximal):
± 20V
Product Status:
Active
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1100 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Reihe:
-
Supplier Device Package:
D²PAK (TO-263)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
18A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.7W (Ta), 88W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRF9Z34
Einleitung
P-Kanal 60 V 18A (Tc) 3,7W (Ta), 88W (Tc) Oberflächenhalter D2PAK (TO-263)
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
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AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungen.
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführten Anforderungen.
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
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SI7157DP-T1-GE3 |
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MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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SQSA12CENW-T1_GE3 |
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
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SI4058DY-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
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IRFS9N60ATRLPBF |
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
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SQM120P06-07L_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
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SQM100P10-19L_GE3 |
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MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
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IRFU420PBF |
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
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MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
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SIR872ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
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SI7456CDP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
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SIR690DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
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SQJ431AEP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
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SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
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SI7463ADP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
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SISS71DN-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
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SQJA68EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungen. |
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 aufgeführten Anforderungen. |
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
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