Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
fabricant:
Nexperia USA Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
SC-100, SOT-669
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
33.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
13mOhm @ 15A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2603 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
LFPAK56, Power-SO8
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
53A (Tc)
Power Dissipation (Max):
95W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Einleitung
N-Kanal 60 V 53A (Tc) 95W (Tc) Oberflächenbefestigung LFPAK56, Power-SO8
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
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mit einer Breite von mehr als 10 mm,127 |
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