Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
fabricant:
Nexperia USA Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
SC-100, SOT-669
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
28.9 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 15A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4640 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Reihe:
-
Supplier Device Package:
LFPAK56, Power-SO8
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
62A (Tc)
Verlustleistung (maximal):
147W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PSMN014
Einleitung
N-Kanal 80 V 62A (Tc) 147W (Tc) Oberflächenhalter LFPAK56, Power-SO8
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
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mit einer Breite von mehr als 10 mm,127 |
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
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BUK9Y65-100E,115 |
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