ATP113-TL-H
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET-Übergangseinrichtung
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
P-Kanal
Technologie:
Si
Produktkategorie:
MOSFET
Montageart:
SMD/SMT
Packung / Gehäuse:
ATPAK-3
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
- 60 V
Verpackung:
Spirale
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
- 35 A
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
29.5 mOhms
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
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