FDN306P
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
±8V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
2.6A (Ta)
@ qty:
0
FET-Typ:
P-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
17nC @ 4,5 V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Minimale Quantität:
3000
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
1.8V, 4.5V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
PowerTrench®
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1138pF @ 6V
Lieferanten-Gerätepaket:
SuperSOT-3
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
40 mOhm @ 2,6 A, 4,5 V
Verlustleistung (maximal):
500mW (Ta)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
12 V
Einleitung
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