FDT439N
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
±8V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
6.3A (Ta)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
15nC @ 4,5 V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Minimale Quantität:
4000
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
2.5V, 4.5V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
-
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
500 pF @ 15V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-223-4
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
45 mOhm @ 6,3A, 4,5 V
Verlustleistung (maximal):
3W (Ta)
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Einleitung
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