FDD86113LZ
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
± 20V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
6nC @ 10V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Minimale Quantität:
2500
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
PowerTrench®
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
285pF @ 50V
Lieferanten-Gerätepaket:
D-PAK (TO-252)
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
104 mOhm @ 4.2A, 10V
Verlustleistung (maximal):
3.1W (Ta), 29W (Tc)
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
100 V
Einleitung
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