TGF2978-SM
fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistoren 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gewinn 11dB
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
GaN SiC
Produktkategorie:
JFET-Transistoren
Montageart:
SMD/SMT
Gewinn:
11 dB
Transistortyp:
HEMT
Ausgangsleistung:
19 W
Packung / Gehäuse:
QFN-20
Höchstbetriebstemperatur:
+ 225 °C
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
32 V
Verpackung:
Tray
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
1,3 A
Vgs - Ausfallspannung der Torquelle:
- 2,7 V
Pd - Energieverschwendung:
33 W
Hersteller:
Qorvo
Einleitung
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