Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführten Daten sind zu berücksichtigen.
fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistoren.03-3GHz Gewinn 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
GaN SiC
Produktkategorie:
JFET-Transistoren
Montageart:
SMD/SMT
Gewinn:
17.1 dB
Transistortyp:
HEMT
Pd - Energieverschwendung:
15.3 W
Packung / Gehäuse:
QFN-EP-16
Ausgangsleistung:
11 W
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
32 V
Verpackung:
Tray
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
557 mA
Vgs - Ausfallspannung der Torquelle:
- 2,7 V
Hersteller:
Qorvo
Einleitung
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
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