QPD1015L
fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
JFET-Transistoren mit Frequenzfrequenz DC-3,7 GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
GaN SiC
Produktkategorie:
JFET-Transistoren
Montageart:
Schraub
Gewinn:
DB 20
Transistortyp:
HEMT
Ausgangsleistung:
70 W
Packung / Gehäuse:
NI-360
Höchstbetriebstemperatur:
+ 85 °C
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
50 V
Verpackung:
Tray
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
2,5 A
Vgs - Ausfallspannung der Torquelle:
145 V
Pd - Energieverschwendung:
64 W
Hersteller:
Qorvo
Einleitung
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