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QPD3601

fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistoren 3,4-3,6GHz 50V 180 Watt GaN
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
GaN SiC
Produktkategorie:
JFET-Transistoren
Montageart:
SMD/SMT
Gewinn:
DB 22
Transistortyp:
HEMT
Ausgangsleistung:
180 W
Packung / Gehäuse:
NI400-2
Höchstbetriebstemperatur:
+ 85 °C
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
50 V
Verpackung:
Waffel
Höchstspannung der Abflussöffnung:
55 V
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
360mA
Pd - Energieverschwendung:
60.9 W
Hersteller:
Qorvo
Einleitung
Die QPD3601, von Qorvo, sind RF JFET Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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