TGF2953
fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
Wird nicht verwendet, um die Anwendungen zu ersetzen.
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
GaN SiC
Produktkategorie:
JFET-Transistoren
Montageart:
SMD/SMT
Gewinn:
18.2 dB
Transistortyp:
HEMT
Ausgangsleistung:
410,6 dBm
Packung / Gehäuse:
Sterben.
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
32 V
Verpackung:
Waffel
Höchstspannung der Abflussöffnung:
100 V
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
820 mA
Pd - Energieverschwendung:
17 W
Hersteller:
Qorvo
Einleitung
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