QPD1000
fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
JFET-Transistoren 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
GaN SiC
Produktkategorie:
JFET-Transistoren
Montageart:
SMD/SMT
Gewinn:
DB 19
Transistortyp:
HEMT
Ausgangsleistung:
24 W
Packung / Gehäuse:
QFN-8
Höchstbetriebstemperatur:
+ 85 °C
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
28 V
Verpackung:
Tray
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
817 mA
Vgs - Ausfallspannung der Torquelle:
100 V
Pd - Energieverschwendung:
28.8 W
Hersteller:
Qorvo
Einleitung
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