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Einzelne Dioden
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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SBR1U200P1-7 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht. |
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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RB411DT146 |
DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SMD3
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Rohm Halbleiter
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RB160MM-90TR |
DIODE SCHOTTKY 90V 1A PMDU
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Rohm Halbleiter
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1N4448HLP-7 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Dioden eingebunden
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JANTX1N5811US |
DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SK26_R1_00001 |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMB
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Panjit International Inc.
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PMEG4010BEA,115 |
Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.
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Nexperia USA Inc.
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RS1M-13-F |
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
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Dioden eingebunden
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MUR820G |
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2
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Einheitlich
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B320A-13-F |
DIODE SCHOTTKY 20V 3A SMA
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Dioden eingebunden
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BAT46W-E3-08 |
DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOD123
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die Ausrüstung ist in Form von |
DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD323
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MBRS4201T3G |
DIODE SCHOTTKY 200V 4A SMC
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Einheitlich
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S1AB-13-F |
DIODE GEN PURP 50V 1A SMB
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Dioden eingebunden
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B160-13-F |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
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Dioden eingebunden
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MBRM120ET1G |
DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE
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Einheitlich
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MBR0580S1-7 |
DIODE SCHOTTKY 80V 500MA SOD123
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Dioden eingebunden
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BAT54XV2T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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MBRS2H100T3G |
Diode SCHOTTKY 100V 2A SMB
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Einheitlich
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B140-13-F |
Diode Schottky 40V 1A SMA
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Dioden eingebunden
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MBRS330T3G |
Diode SCHOTTKY 30V 3A SMC
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Einheitlich
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BAS16J,115 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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Nexperia USA Inc.
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1SS400SMT2R |
Diode GEN PURP 80V 100MA EMD2
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Rohm Halbleiter
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MBRS360T3G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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BAT54WS-7-F |
Diode SCHOTTKY 30V 100MA SOD323
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Dioden eingebunden
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S1G-13-F |
Diode GEN PURP 400V 1A SMA
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Dioden eingebunden
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BAT720.215 |
Die Schottky-Diode 40V 500MA ist auf 236AB.
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Nexperia USA Inc.
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RB521S30T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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BAT-AELs für die Berechnung der CO2-Emissionen |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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MMBD4148-7-F |
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3
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Dioden eingebunden
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MURA160T3G |
Diode GEN PURP 600V 1A SMA
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Einheitlich
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LL4148 |
DIODEN-GEN PURP 100V 200MA SOD80
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Einheitlich
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MBRS140T3G |
Diode SCHOTTKY 40V 1A SMB
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Einheitlich
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B220A-13-F |
Diode Schottky 20V 2A SMA
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Dioden eingebunden
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MBRM140T3G |
Diode SCHOTTKY 40V 1A Leistung
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
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Panjit International Inc.
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PMEG2005EGWX |
DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
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Nexperia USA Inc.
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LS4148-GS08 |
Diode GEN PURP 75V 150MA SOD80
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
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Panjit International Inc.
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BAS21HT1G |
Diode GEN PURP 250V 200MA SOD323
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Einheitlich
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APT60DQ60BG |
Diode GP 600V 60A bis 247
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Mikrochiptechnik
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FSV12100V |
Diode SCHOTTKY 100V 12A TO277-3
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Einheitlich
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FSV10100V |
Diode SCHOTTKY 100V 10A TO277-3
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Einheitlich
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MBRS540T3G |
Diode SCHOTTKY 40V 5A SMC
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Einheitlich
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MBRA210LT3G |
Diode Schottky 10V 2A SMA
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Einheitlich
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SK26 |
Diode SCHOTTKY 60V SMB
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SMC-Diodenlösungen
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