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Einzelne Dioden
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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PDS3200-13 |
Diode Schottky 200V 3A POWERDI5
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Dioden eingebunden
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LSM115JE3/TR13 |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
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Mikrochiptechnik
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FSV15150V |
Diode Schottky 150V 15A TO277-3
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Einheitlich
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SL44-E3/57T |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SBR10U200P5-13 |
Dies ist der Fall, wenn die Leistung von SBR 200V 10A ist.
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Dioden eingebunden
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V12P10-M3/86A |
Diode Schottky 100V 12A bis 277A
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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15SQ045 |
Diode Schottky 45V 15A R-6
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SMC-Diodenlösungen
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V8P10-M3/86A |
Diode Schottky 100V 8A bis 277A
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SBR10U45SP5-13 |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
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Dioden eingebunden
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DFLS230L-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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ZLLS1000TA |
Diode Schottky 40V 1.16A SOT23-3
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Dioden eingebunden
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US3M-13 |
Diode GEN PURP 1KV 3A SMC
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Dioden eingebunden
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PMEG10030ELPX |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten
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Nexperia USA Inc.
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PMEG60T50ELPX |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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DFLS1150-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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B540C-13-F |
Diode SCHOTTKY 40V 5A SMC
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Dioden eingebunden
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Bei der Prüfung der Einhaltung der Vorschriften für die Berechnung der Zulassungsdauer |
Die Diode-Avalanche 1,3 KV 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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DFLS160-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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DFLS240L-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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DFLS1100-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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B340LB-13-F |
Diode Schottky 40V 3A SMB
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Dioden eingebunden
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RR1LAM4STR |
Diode GEN PURP 400V 1A PMDTM
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Rohm Halbleiter
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ES2BA-13-F |
Diode GEN PURP 100V 2A SMA
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Dioden eingebunden
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Die Zulassung ist nicht zulässig. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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STMikroelektronik
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B2100A-13-F |
Diode SCHOTTKY 100V 2A SMA
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Dioden eingebunden
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NSR05F40NXT5G |
Diode Schottky 40V 500MA 2DSN
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Einheitlich
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PMEG6010ELRX |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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B130LAW-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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PMEG10020ELRX |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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1N4148 |
Diode GEN PURP 100V 200MA DO35
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Einheitlich
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B240A-13-F |
Die Diode Schottky 40V 2A SMA
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Dioden eingebunden
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B330A-13-F |
Diode Schottky 30V 3A SMA
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Dioden eingebunden
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Die BAT-Basis ist die folgende: |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
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Nexperia USA Inc.
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S1MB-13-F |
Diode GEN PURP 1KV 1A SMB
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Dioden eingebunden
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VS-150EBU04 |
Dies ist der Fall, wenn die Leistung der Anlage nicht übersteigt.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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B0540W-7-F |
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123
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Dioden eingebunden
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1N4448HWT-7 |
Diode GEN PURP 80V 125MA SOD523
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Dioden eingebunden
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1SS355TE-17 |
Diode GEN PURP 80V 100MA UMD2
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Rohm Halbleiter
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S1A-13-F |
Diode GEN PURP 50V 1A SMA
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Dioden eingebunden
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MMSD914T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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1N4448W-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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1N4007-T |
Diode GEN PURP 1KV 1A DO41
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Dioden eingebunden
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BAS21LT1G |
Diode GP 250V 200MA SOT23-3
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Einheitlich
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MMSD4148T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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SK36_R1_00001 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Panjit International Inc.
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FFPF10UP20STU |
Diode GEN PURP 200V 10A bis 220F
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Einheitlich
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S100 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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RB050L-40TE25 |
Diode SCHOTTKY 40V 3A PMDS
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Rohm Halbleiter
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SS18 |
Diode SCHOTTKY 80V 1A DO214AC
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Einheitlich
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RR255M-400TR |
Diode GEN PURP 400V 700MA PMDU
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Rohm Halbleiter
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