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Einzelne Dioden
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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DFLS1200-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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ZHCS1000TA |
Diode Schottky 40V 1A SOT23-3
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Dioden eingebunden
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PMEG6030ELPX |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des E
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Nexperia USA Inc.
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SSA33L-E3/61T |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SBR3U30P1-7 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Dioden eingebunden
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B330B-13-F |
Diode SCHOTTKY 30V 3A SMB
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Dioden eingebunden
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DFLS140L-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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ZHCS350TA |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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S3JB-13-F |
Diode GEN PURP 600V 3A SMB
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Dioden eingebunden
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PMEG3020EP,115 |
Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Verwendung von
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Nexperia USA Inc.
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SBR2U60S1F-7 |
Dies ist der Fall, wenn die Anlage nicht in Betrieb ist.
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Dioden eingebunden
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STTH1R06A |
Diode GEN PURP 600V 1A SMA
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STMikroelektronik
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B340-13-F |
Diode SCHOTTKY 40V 3A SMC
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Dioden eingebunden
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Stellenabschluss |
Diode SCHOTTKY 100V 2A SMA
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STMikroelektronik
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B360A-13-F |
Diode Schottky 60V 3A SMA
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Dioden eingebunden
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S3MB-13-F |
Diode GEN PURP 1KV 3A SMB
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Dioden eingebunden
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S2M |
Einheit für die Berechnung der Leistung von elektrischen Antrieben
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Einheitlich
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B230A-13-F |
Diode Schottky 30V 2A SMA
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Dioden eingebunden
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PMEG6002EJ,115 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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PMEG4010CEJ,115 |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des E
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Nexperia USA Inc.
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B140HW-7 |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von
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Dioden eingebunden
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1N5819HW-7-F |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von
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Dioden eingebunden
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RS1M |
Diode GEN PURP 1KV 1A DO214AC
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Einheitlich
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MMSD701T1G |
Diode Schottky 70V 200MA SOD123
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Einheitlich
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S1B |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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B140B-13-F |
Diode SCHOTTKY 40V 1A SMB
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Dioden eingebunden
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NSR0320MW2T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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US1J-13-F |
Diode GEN PURP 600V 1A SMA
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Dioden eingebunden
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S1GB-13-F |
Diode GEN PURP 400V 1A SMB
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Dioden eingebunden
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1PS79SB30,115 |
Diode Schottky 40V 200MA SOD523
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Nexperia USA Inc.
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Das ist BAS521.115 |
Diode GEN PURP 300V 250MA SOD523
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Nexperia USA Inc.
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1N4148WS-E3-08 |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungs
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BAS516,115 |
Diode GEN PURP 100V 250MA SOD523
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Nexperia USA Inc.
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1N4148WQ-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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1N914BWT |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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BAT54LT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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1N4148W-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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S1M |
Diode GEN PURP 1KV 1A SMA
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SMC-Diodenlösungen
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