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Einzelne Dioden
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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NSR0340HT1G |
Diode SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
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Einheitlich
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RB751S40T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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1N4148WT-7 |
Diode GEN PURP 80V 125MA SOD523
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Dioden eingebunden
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BAS16XV2T1G |
Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht erlaubt ist.
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Einheitlich
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BAT54,215 |
Diode SCHOTTKY 30V 200MA TO236AB
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Nexperia USA Inc.
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1N4148WT |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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1N4148WS-7-F |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungs
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Dioden eingebunden
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1N4148W-13-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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SCS308AHGC9 |
Diode SIL CARB 650V 8A bis 220ACP
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Rohm Halbleiter
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S1G |
Diode GEN PURP 400V 1A SMA
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SMC-Diodenlösungen
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1N4148TR |
Diode GEN PURP 100V 200MA DO35
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Einheitlich
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APT60DQ100BG |
Diode GEN PURP 1KV 60A bis 247
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. |
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MUR1560G |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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MUR4100ERLG |
Diode GEN PURP 1KV 4A axiale
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Einheitlich
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MBRA1H100T3G |
Diode Schottky 100V 1A SMA
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Einheitlich
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NRVBS540T3G |
Diode SCHOTTKY 40V 5A SMC
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Einheitlich
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MURS260T3G |
Diode GEN PURP 600V 2A SMB
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Einheitlich
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Die Ausrüstung wird von der Kommission erstellt. |
DIODE GEN PURP 300V 2A SMA
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Einheitlich
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MBRA160T3G |
Diode Schottky 60V 1A SMA
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Einheitlich
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SS26T3G |
Diode SCHOTTKY 60V 2A SMB
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Einheitlich
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MBRA140T3G |
Diode Schottky 40V 1A SMA
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Einheitlich
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MBRS120T3G |
Diode SCHOTTKY 20V 1A SMB
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Einheitlich
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SBR3A40SAQ-13 |
Diode SBR 40V 3A SMA
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Dioden eingebunden
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NHP120SFT3G |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden, die
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Einheitlich
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PMEG4010CEGWX |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von
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Nexperia USA Inc.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Diode GP 1,2 KV 60A bis 247AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MBRB4030T4G |
D2PAK 30V 40A
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Einheitlich
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MBRD1045T4G |
DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
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Einheitlich
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MUR420RLG |
Diode GEN PURP 200V 4A axiale
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Einheitlich
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STPS3L60U |
Diode SCHOTTKY 60V 3A SMB
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STMikroelektronik
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ES2B |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen der in Absatz 1 gena
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Einheitlich
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SB05-05C-TB-E |
Die Anzeige ist in der Anzeige angegeben.
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Einheitlich
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MRA4003T3G |
Diode GEN PURP 300V 1A SMA
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Einheitlich
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JANTX1N5615 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Mikrochiptechnik
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Bei der Prüfung der Einhaltung der Vorschriften des Anhangs 1 ist die |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Mikrochiptechnik
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Die Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
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Einheitlich
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VS-15MQ040NTRPBF |
Diode SCHOTTKY 40V 1,5A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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MBRS360BT3G |
Diode SCHOTTKY 60V 3A SMB
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Einheitlich
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STPS340U |
Diode Schottky 40V 3A SMB
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STMikroelektronik
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NRVUA160VT3G |
Diode GEN PURP 600V 2A SMA
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Einheitlich
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MBR140SFT1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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ES1B |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Einheitlich
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MBR0530T1G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Einheitlich
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BAS16LT1G |
Diode GP 100V 200MA SOT23-3
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Einheitlich
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Einheitliche Datenbank (SSN) |
Diode Schottky 60V 1A SMA
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Panjit International Inc.
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FFPF10UA60ST |
Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht ausreichend ist.
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Einheitlich
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MUR160RLG |
Diode GEN PURP 600V 1A axiale
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Einheitlich
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RR264M-400TR |
Diode GEN PURP 400V 700MA PMDU
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Rohm Halbleiter
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Es ist jedoch nicht möglich, die Daten zu übermitteln. |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen in Anhang I der Rich
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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