Filter
Filter
Einzelne Dioden
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Einheit für die Berechnung der Zertifikate |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
Diode Schottky 20V 1A DO41
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
RB060MM-30TR |
Diode SCHOTTKY 30V 2A PMDU
|
Rohm Halbleiter
|
|
|
|
|
|
US1J-E3/61T |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
SB3100 |
Diode SCHOTTKY 100V DO201AD
|
SMC-Diodenlösungen
|
|
|
|
|
|
SBR1A40S1-7 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen der in Absatz 1 gena
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
SBR3U60P1Q-7 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
RR264MM-400TFTR |
Diode GEN PURP 400V 700MA PMDU
|
Rohm Halbleiter
|
|
|
|
|
|
SS24S-E3/61T |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Dioden.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
RB751V-40TE-17 |
Diode SCHOTTKY 30V 30MA UMD2
|
Rohm Halbleiter
|
|
|
|
|
|
US1D-13-F |
Diode GEN PURP 200V 1A SMA
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
RB160VAM-40TR |
Diode SCHOTTKY 40V 1A TUMD2M
|
Rohm Halbleiter
|
|
|
|
|
|
B260-13-F |
Diode SCHOTTKY 60V 2A SMB
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
Die BAT760Q-7 |
Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Verwendung von
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
PMEG4005CEAX |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
BAV3004WS-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
SDM02U30LP3-7B |
Diode Schlag 30V 100MA 2DFN
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
MSS1P4HM3_A/H |
Diode SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
RB161QS-40T18R |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
|
Rohm Halbleiter
|
|
|
|
|
|
US1B-13-F |
Diode GEN PURP 100V 1A SMA
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
BAT60JFILM |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des E
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
RB751VM-40TE-17 |
Diode SCHOTTKY 30V 30MA UMD2
|
Rohm Halbleiter
|
|
|
|
|
|
1SS355VMFHTE-17 |
Diode GEN PURP 80V 100MA UMD2
|
Rohm Halbleiter
|
|
|
|
|
|
BAT42W-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Panjit International Inc.
|
|
|
|
|
|
ES1D |
Diode GEN PURP 200V 1A SMA
|
SMC-Diodenlösungen
|
|
|
|
|
|
PMEG3005AESFYL |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
B0530W-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
B130-13-F |
Diode Schottky 30V 1A SMA
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
Der Wert des Zinssatzes ist zu messen. |
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123
|
Panjit International Inc.
|
|
|
|
|
|
RB521SM-30T2R |
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2
|
Rohm Halbleiter
|
|
|
|
|
|
RB521S30,115 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
1N4007RLG |
Diode GEN PURP 1KV 1A axiale
|
Einheitlich
|
|
|
|
|
|
BAS16H,115 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
BAV16W-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
Das ist BAS321.115 |
Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht erlaubt ist.
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
RB751S40_R1_00001 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Panjit International Inc.
|
|
|
|
|
|
1N4148W-E3-18 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Das ist BAS21.215 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
VS-8EWF12S-M3 |
Diode GEN PURP 1,2 KV 8A TO252
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
PDS360-13 |
Diode Schottky 60V 3A POWERDI5
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
PDS1040-13 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
PDS560-13 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
PDS760-13 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
DPAK-Diode Schottky 100 V 5,5 A
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
VS-10MQ040NTRPBF |
Diode SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
|
|
Stellenabschluss |
Diode Schottky 150V 2A SMA
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
ES3DB-13-F |
Diode GEN PURP 200V 3A SMB
|
Dioden eingebunden
|
|
|