Filter
Filter
Gleichrichter
Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RB550VM-30TE-17 |
Diode SCHOTTKY 30V 500MA UMD2
|
Rohm Halbleiter
|
|
|
|
![]() |
SK24 |
Diode SCHOTTKY 40V 2A SMB
|
SMC-Diodenlösungen
|
|
|
|
![]() |
STTH30L06W |
Diode GEN PURP 600V 30A DO247
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
![]() |
APT75DQ60BG |
Diode GP 600V 75A TO247
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
![]() |
PMEG045V100EPDAZ |
Diode SCHOTTKY 45V 10A CFP15
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
![]() |
Bei der Beförderung von Fahrzeugen |
Die Ausrüstung wird von der Kommission erstellt.
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
![]() |
PMEG100V060ELPDZ |
Diode SCHOTTKY 100V 6A CFP15
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
![]() |
SS36 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
![]() |
BAV19WS |
SOD-323F, 120V, 0,2A, Schaltanlage
|
Taiwan Semiconductor Corporation
|
|
|
|
![]() |
Die BAT-Basis ist die folgende: |
Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Verwendung von
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
![]() |
SBR1A400P1-7 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
![]() |
B360-13-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
![]() |
S5MC-13-F |
Diode GEN PURP 1KV 5A SMC
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
![]() |
PMEG60T30ELRX |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
![]() |
PMEG40T10ERX |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
![]() |
SBR3A40SAF-13 |
Diode SBR 40V 3A SMAF
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
![]() |
S2A |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
![]() |
PMEG4005AEA,115 |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
![]() |
Das System ist in der Lage, das System zu ersetzen. |
Diode SCHOTTKY 30V 1A PMDU
|
Rohm Halbleiter
|
|
|
|
![]() |
BAT43W-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
![]() |
US1A-13-F |
Diode GEN PURP 50V 1A SMA
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
![]() |
B220-13-F |
Diode SCHOTTKY 20V 2A SMB
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
![]() |
PMEG4002EB,115 |
Diode Schottky 40V 200MA SOD523
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
![]() |
JANTX1N5806US |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
![]() |
BAS85 und115 |
Diode SCHOT 30V 200MA LLDS
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
![]() |
RB520SM-30FHT2R |
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2
|
Rohm Halbleiter
|
|
|
|
![]() |
S1M-E3/5AT |
Diode GEN PURP 1KV 1A DO214AC
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
![]() |
Das ist BAS716.115 |
Diode GEN PURP 75V 200MA SOD523
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
![]() |
BAV20WS-7-F |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungs
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
![]() |
BAV103 |
Diode GEN PURP 200V 200MA SOD80
|
Einheitlich
|
|
|
|
![]() |
BAT43XV2 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
![]() |
RB530CM-30T2R |
Diode SCHOTTKY 30V 100MA VMN2M
|
Rohm Halbleiter
|
|
|
|
![]() |
BAS40L,315 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
![]() |
BAS16 |
Diode GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
|
SMC-Diodenlösungen
|
|
|
|
![]() |
Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Diode Schottky 200V 3A SMB
|
Einheitlich
|
|
|
|
![]() |
MMBD4148 |
Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht ausreichend ist.
|
SMC-Diodenlösungen
|
|
|
|
![]() |
MBR1H100SFT3G |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
|
Einheitlich
|
|
|
|
![]() |
RB530SM-30T2R |
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2
|
Rohm Halbleiter
|
|
|
|
![]() |
BAS16L, 315 |
DIODE GP 100V 215MA DFN1006-2
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
![]() |
RB160M-40TR |
Diode SCHOTTKY 40V 1A PMDU
|
Rohm Halbleiter
|
|
|
|
![]() |
BAS316,115 |
DIODEN-GEN PURP 100V 250MA SOD323
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
![]() |
LL4148-GS18 |
DIODEN-GEN PURP 75V 300MA SOD80
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
![]() |
BAS16-7-F |
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
![]() |
BAS32L,115 |
DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
![]() |
APT100S20BG |
Diode SCHOTTKY 200V 120A bis 247
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
![]() |
APT75DQ120BG |
Diode GP 1,2 KV 75A TO247
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
![]() |
JANTX1N4148-1 |
Diode GEN PURP 75V 200MA DO35
|
Mikrochiptechnik
|
|
|
|
![]() |
PDS5100-13 |
Diode SCHOTTKY 100V 5A Leistung
|
Dioden eingebunden
|
|
|
|
![]() |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Absatz 1 Buchstabe b genannten Leistungen. |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
|
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
|
|
|
|
![]() |
S310 |
Diode SCHOTTKY 100V 3A SMC
|
Einheitlich
|
|
|