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Gleichrichter

BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
RB550VM-30TE-17

RB550VM-30TE-17

Diode SCHOTTKY 30V 500MA UMD2
Rohm Halbleiter
SK24

SK24

Diode SCHOTTKY 40V 2A SMB
SMC-Diodenlösungen
STTH30L06W

STTH30L06W

Diode GEN PURP 600V 30A DO247
STMikroelektronik
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Diode GP 600V 75A TO247
Mikrochiptechnik
PMEG045V100EPDAZ

PMEG045V100EPDAZ

Diode SCHOTTKY 45V 10A CFP15
Nexperia USA Inc.
Bei der Beförderung von Fahrzeugen

Bei der Beförderung von Fahrzeugen

Die Ausrüstung wird von der Kommission erstellt.
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
PMEG100V060ELPDZ

PMEG100V060ELPDZ

Diode SCHOTTKY 100V 6A CFP15
Nexperia USA Inc.
SS36

SS36

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Einheitlich
BAV19WS

BAV19WS

SOD-323F, 120V, 0,2A, Schaltanlage
Taiwan Semiconductor Corporation
Die BAT-Basis ist die folgende:

Die BAT-Basis ist die folgende:

Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Verwendung von
Dioden eingebunden
SBR1A400P1-7

SBR1A400P1-7

Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
Dioden eingebunden
B360-13-F

B360-13-F

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Dioden eingebunden
S5MC-13-F

S5MC-13-F

Diode GEN PURP 1KV 5A SMC
Dioden eingebunden
PMEG60T30ELRX

PMEG60T30ELRX

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Nexperia USA Inc.
PMEG40T10ERX

PMEG40T10ERX

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
Nexperia USA Inc.
SBR3A40SAF-13

SBR3A40SAF-13

Diode SBR 40V 3A SMAF
Dioden eingebunden
S2A

S2A

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
Einheitlich
PMEG4005AEA,115

PMEG4005AEA,115

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
Nexperia USA Inc.
Das System ist in der Lage, das System zu ersetzen.

Das System ist in der Lage, das System zu ersetzen.

Diode SCHOTTKY 30V 1A PMDU
Rohm Halbleiter
BAT43W-7-F

BAT43W-7-F

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Dioden eingebunden
US1A-13-F

US1A-13-F

Diode GEN PURP 50V 1A SMA
Dioden eingebunden
B220-13-F

B220-13-F

Diode SCHOTTKY 20V 2A SMB
Dioden eingebunden
PMEG4002EB,115

PMEG4002EB,115

Diode Schottky 40V 200MA SOD523
Nexperia USA Inc.
JANTX1N5806US

JANTX1N5806US

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
Mikrochiptechnik
BAS85 und115

BAS85 und115

Diode SCHOT 30V 200MA LLDS
Nexperia USA Inc.
RB520SM-30FHT2R

RB520SM-30FHT2R

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2
Rohm Halbleiter
S1M-E3/5AT

S1M-E3/5AT

Diode GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Das ist BAS716.115

Das ist BAS716.115

Diode GEN PURP 75V 200MA SOD523
Nexperia USA Inc.
BAV20WS-7-F

BAV20WS-7-F

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungs
Dioden eingebunden
BAV103

BAV103

Diode GEN PURP 200V 200MA SOD80
Einheitlich
BAT43XV2

BAT43XV2

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Einheitlich
RB530CM-30T2R

RB530CM-30T2R

Diode SCHOTTKY 30V 100MA VMN2M
Rohm Halbleiter
BAS40L,315

BAS40L,315

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Nexperia USA Inc.
BAS16

BAS16

Diode GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
SMC-Diodenlösungen
Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.

Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.

Diode Schottky 200V 3A SMB
Einheitlich
MMBD4148

MMBD4148

Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht ausreichend ist.
SMC-Diodenlösungen
MBR1H100SFT3G

MBR1H100SFT3G

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Einheitlich
RB530SM-30T2R

RB530SM-30T2R

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2
Rohm Halbleiter
BAS16L, 315

BAS16L, 315

DIODE GP 100V 215MA DFN1006-2
Nexperia USA Inc.
RB160M-40TR

RB160M-40TR

Diode SCHOTTKY 40V 1A PMDU
Rohm Halbleiter
BAS316,115

BAS316,115

DIODEN-GEN PURP 100V 250MA SOD323
Nexperia USA Inc.
LL4148-GS18

LL4148-GS18

DIODEN-GEN PURP 75V 300MA SOD80
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
BAS16-7-F

BAS16-7-F

DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3
Dioden eingebunden
BAS32L,115

BAS32L,115

DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS
Nexperia USA Inc.
APT100S20BG

APT100S20BG

Diode SCHOTTKY 200V 120A bis 247
Mikrochiptechnik
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Diode GP 1,2 KV 75A TO247
Mikrochiptechnik
JANTX1N4148-1

JANTX1N4148-1

Diode GEN PURP 75V 200MA DO35
Mikrochiptechnik
PDS5100-13

PDS5100-13

Diode SCHOTTKY 100V 5A Leistung
Dioden eingebunden
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Absatz 1 Buchstabe b genannten Leistungen.

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Absatz 1 Buchstabe b genannten Leistungen.

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
S310

S310

Diode SCHOTTKY 100V 3A SMC
Einheitlich
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