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Gleichrichter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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BAT46JFILM |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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STMikroelektronik
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SDM05U40CSP-7 |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
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Dioden eingebunden
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Das ist BAS416.115 |
Diode GEN PURP 75V 200MA SOD323
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Nexperia USA Inc.
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SDMK0340L-7-F |
Diode SCHOTTKY 40V 30MA SOD323
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Dioden eingebunden
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RB521CM-30T2R |
Diode SCHOTTKY 30V 100MA VMN2M
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Rohm Halbleiter
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1PS76SB21.115 |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
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Nexperia USA Inc.
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B120-13-F |
Diode Schottky 20V 1A SMA
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Dioden eingebunden
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FFPF30UA60S |
Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht ausreichend ist.
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Einheitlich
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PMEG3010AESBYL |
Diode SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2
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Nexperia USA Inc.
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FMD-G26S |
Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht ausreichend ist.
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Sanken Electric USA Inc.
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SARS01V1 |
Diode GEN PURP 800V 1,2A axiale
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Sanken Electric USA Inc.
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BAS70.215 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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1PS76SB40,115 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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MBRAF3200T3G |
Diode Schottky 200V 3A SMA-FL
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Einheitlich
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1N4148W-E3-08 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BAS21 |
Diode GP 200V 200MA SOT23-3
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SMC-Diodenlösungen
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RB521SM-60T2R |
Diode SCHOTTKY 60V 200MA EMD2
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Rohm Halbleiter
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SJPX-F2VR |
Diode GEN PURP 200V 1,5A SJP
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Sanken Electric USA Inc.
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ES3D |
Diode GEN PURP 200V 3A SMC
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Einheitlich
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BY133 |
Diode GEN PURP 1,3 KV 1A DO41
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SMC-Diodenlösungen
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1PS76SB10,115 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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1SS355VMTE-17 |
Diode GEN PURP 80V 100MA UMD2
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Rohm Halbleiter
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RB531SM-30T2R |
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2
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Rohm Halbleiter
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MURS160-E3/52T |
Diode GEN PURP 600V 2A DO214AA
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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RB510SM-40FHT2R |
Diode SCHOTTKY 40V 100MA EMD2
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Rohm Halbleiter
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LL4148-GS08 |
DIODEN-GEN PURP 75V 300MA SOD80
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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GS1M |
Diode GEN PURP 1KV 1A SMA
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SMC-Diodenlösungen
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BAT43WS-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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RB160M-30TR |
Diode SCHOTTKY 30V 1A PMDU
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Rohm Halbleiter
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APT60D60BG |
Diode GP 600V 60A bis 247
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Mikrochiptechnik
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Bei der Prüfung der Einhaltung der Vorschriften des Anhangs 1 ist die Prüfung der Einhaltung der Vorschriften des Anhangs 2 vorzunehmen. |
Diode SCHOTTKY 40V 8A Leistung
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Mikrochiptechnik
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1N4148UR-1 |
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA
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Mikrochiptechnik
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PDS3200-13 |
Diode Schottky 200V 3A POWERDI5
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Dioden eingebunden
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LSM115JE3/TR13 |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
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Mikrochiptechnik
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FSV15150V |
Diode Schottky 150V 15A TO277-3
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Einheitlich
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SL44-E3/57T |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SBR10U200P5-13 |
Dies ist der Fall, wenn die Leistung von SBR 200V 10A ist.
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Dioden eingebunden
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V12P10-M3/86A |
Diode Schottky 100V 12A bis 277A
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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15SQ045 |
Diode Schottky 45V 15A R-6
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SMC-Diodenlösungen
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V8P10-M3/86A |
Diode Schottky 100V 8A bis 277A
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SBR10U45SP5-13 |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.
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Dioden eingebunden
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DFLS230L-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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ZLLS1000TA |
Diode Schottky 40V 1.16A SOT23-3
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Dioden eingebunden
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US3M-13 |
Diode GEN PURP 1KV 3A SMC
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Dioden eingebunden
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PMEG10030ELPX |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten
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Nexperia USA Inc.
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PMEG60T50ELPX |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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DFLS1150-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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B540C-13-F |
Diode SCHOTTKY 40V 5A SMC
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Dioden eingebunden
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Bei der Prüfung der Einhaltung der Vorschriften für die Berechnung der Zulassungsdauer |
Die Diode-Avalanche 1,3 KV 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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DFLS160-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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