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Gleichrichter

BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
SBRT15U50SP5-13

SBRT15U50SP5-13

Dies ist der Fall, wenn die Leistung von SBR 50V 15A ist.
Dioden eingebunden
PMEG060V100EPDZ

PMEG060V100EPDZ

Diode Schottky 60V 10A CFP15
Nexperia USA Inc.
ES3D-E3/57T

ES3D-E3/57T

Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbe
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
SS34-E3/57T

SS34-E3/57T

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
SS34

SS34

Diode SCHOTTKY 40V 3A SMC
Einheitlich
VS-10MQ100NTRPBF

VS-10MQ100NTRPBF

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
DFLS240-7

DFLS240-7

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Dioden eingebunden
NSR20F30NXT5G

NSR20F30NXT5G

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des E
Einheitlich
S8KC-13

S8KC-13

Diode GEN PURP 800V 8A SMC
Dioden eingebunden
STTH102AY

STTH102AY

Diode GEN PURP 200V 1A SMA
STMikroelektronik
DFLS1100Q-7

DFLS1100Q-7

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Dioden eingebunden
ZLLS400TA

ZLLS400TA

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Dioden eingebunden
PD3S140-7

PD3S140-7

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
Dioden eingebunden
B340B-13-F

B340B-13-F

Diode Schottky 40V 3A SMB
Dioden eingebunden
Die BAT-Absolventen sind in den folgenden Kategorien aufgeführt:

Die BAT-Absolventen sind in den folgenden Kategorien aufgeführt:

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
Infineon Technologies
PD3S160-7

PD3S160-7

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind für die Berechnung der Verbrennungsmenge zu verwend
Dioden eingebunden
BAT60AE6327HTSA1

BAT60AE6327HTSA1

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Infineon Technologies
B340A-13-F

B340A-13-F

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
Dioden eingebunden
PMEG6020ER,115

PMEG6020ER,115

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Nexperia USA Inc.
PMEG10010ELRX

PMEG10010ELRX

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Nexperia USA Inc.
MURS120-13-F

MURS120-13-F

DIODEN-GEN PURP 200V 1A SMB
Dioden eingebunden
RB160MM-60TR

RB160MM-60TR

Diode SCHOTTKY 60V 1A PMDU
Rohm Halbleiter
B340AE-13

B340AE-13

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
Dioden eingebunden
ES1D-13-F

ES1D-13-F

Diode GEN PURP 200V 1A SMA
Dioden eingebunden
B1100-13-F

B1100-13-F

Diode Schottky 100V 1A SMA
Dioden eingebunden
US1K-13-F

US1K-13-F

Diode GEN PURP 800V 1A SMA
Dioden eingebunden
RRE07VSM4STR

RRE07VSM4STR

Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
Rohm Halbleiter
SD103AWS-7-F

SD103AWS-7-F

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Dioden eingebunden
SD103AW-7-F

SD103AW-7-F

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Dioden eingebunden
B260A-13-F

B260A-13-F

Diode Schottky 60V 2A SMA
Dioden eingebunden
BAT46WJ,115

BAT46WJ,115

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistung.
Nexperia USA Inc.
BAT54J115

BAT54J115

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Nexperia USA Inc.
NSR0340HT1G

NSR0340HT1G

Diode SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
Einheitlich
RB751S40T1G

RB751S40T1G

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Einheitlich
1N4148WT-7

1N4148WT-7

Diode GEN PURP 80V 125MA SOD523
Dioden eingebunden
BAS16XV2T1G

BAS16XV2T1G

Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht erlaubt ist.
Einheitlich
BAT54,215

BAT54,215

Diode SCHOTTKY 30V 200MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1N4148WT

1N4148WT

Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
Einheitlich
1N4148WS-7-F

1N4148WS-7-F

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungs
Dioden eingebunden
1N4148W-13-F

1N4148W-13-F

Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Dioden eingebunden
SCS308AHGC9

SCS308AHGC9

Diode SIL CARB 650V 8A bis 220ACP
Rohm Halbleiter
S1G

S1G

Diode GEN PURP 400V 1A SMA
SMC-Diodenlösungen
1N4148TR

1N4148TR

Diode GEN PURP 100V 200MA DO35
Einheitlich
APT60DQ100BG

APT60DQ100BG

Diode GEN PURP 1KV 60A bis 247
Mikrochiptechnik
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind.

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind.

DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
MUR1560G

MUR1560G

Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
Einheitlich
MUR4100ERLG

MUR4100ERLG

Diode GEN PURP 1KV 4A axiale
Einheitlich
MBRA1H100T3G

MBRA1H100T3G

Diode Schottky 100V 1A SMA
Einheitlich
NRVBS540T3G

NRVBS540T3G

Diode SCHOTTKY 40V 5A SMC
Einheitlich
MURS260T3G

MURS260T3G

Diode GEN PURP 600V 2A SMB
Einheitlich
14 15 16 17 18