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MOSFET
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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IPT004N03L |
MOSFET MV POWER MOS
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Infineon Technologies
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SI7997DP-T1-GE3 |
MOSFET -30V 5,5mOhm@10V 60A P-Ch G-III
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Vishay Halbleiter
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SIR870ADP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 6,6mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
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Vishay Halbleiter
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FDD8874 |
MOSFET 30V N-Kanal-PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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IRF520 PBF |
MOSFET N-Chan 100V 9,2 Ampere
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Vishay Halbleiter
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BSC097N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8
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Infineon Technologies
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SI4410BDY-T1-E3 |
MOSFET 30V 10A 2,5 W
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Vishay Halbleiter
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SI1869DH-T1-E3 |
MOSFET-Lastschalter 1,8 V RA W/ LEVEL SHIFT
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Vishay Halbleiter
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BSS84,215 |
MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA
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Nexperia
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Einheit für die Bereitstellung von Daten |
MOSFET N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6
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Infineon Technologies
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BSG0811ND |
MOSFETEN Unterschiedliche MOSFETEN
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Infineon Technologies
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Ipw65r045c7 |
MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
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Infineon Technologies
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FDS4435BZ |
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
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Einheitlich
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FDP20N50 |
MOSFET N-CH 500V 20A bis 220
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Einheitlich
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IRFP4868PBF |
MOSFET N-CH 300V 70A bis 247AC
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Infineon Technologies
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2SA1244-Y |
mit einer Leistung von mehr als 50 W
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Toshiba
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SPP20N60CFD |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3 CoolMOS CFD
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Infineon Technologies
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St.B.35N65M5 |
MOSFET-Leistung MOSFET N-CH 650 V
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STMikroelektronik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET 44 Ampere 600 V
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IXYS
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET 200V 180A
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IXYS
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SIR610DP-T1-RE3 |
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds ((on) 24h
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Siliconix / Vishay
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IXFP14N60P |
MOSFET 600V 14A
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IXYS
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FQA24N50 |
MOSFET 500 V N-Kanal QFET
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Einheitlich
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BSS84-7-F |
MOSFET -50V 250mW
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Dioden eingebunden
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SIS862DN-T1-GE3 |
MOSFET 60V 8,5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
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Vishay Halbleiter
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2N7002DW |
MOSFET-N-Chan-Verstärkungsmodus-Feldwirkung
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Fairchild Halbleiter
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SI1553CDL-T1-GE3 |
MOSFET 20V 0,7/-0.5
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Vishay Halbleiter
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FDP075N15A_F102 |
MOSFET 150V NChan PwrTrench
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Fairchild Halbleiter
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NCV8402ASTT1G |
MOSFET 42V 2.0A
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Einheitlich
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APT14M100B |
MOSFET Leistung MOSFET - MOS8
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Mikrosemi
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Die Befehlshaberin ist der zuständigen Behörde unterstellt. |
MOSFET N-Ch Enh-Modus FET 60V 20Vgss 1,2A
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Dioden eingebunden
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NX7002BKSX |
MOSFET 60V, Doppel-N-Kanal-Grench-MOSFET
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Nexperia
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IPW65R150CFDA |
MOSFET N-Ch 650V 22.4A TO247-3
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET 600V 30A
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IXYS
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IXTH20P50P |
MOSFET -20,0 Ampere -500V 0,450 Rds
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
MOSFET -96 Ampere -85V 0,013 Rds
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IXYS
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NX3008NBKS,115 |
MOSFET 30V 350 MA Doppel-N-CH-Trench-MOSFET
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Nexperia
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FDPF20N50 |
MOSFET 500V N-CH MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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FQA28N15 |
MOSFET 150V N-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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SI4288DY-T1-GE3 |
MOSFET 40 Volt 9,2 Ampere 3,1 Watt
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Vishay Halbleiter
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FQP12P10 |
MOSFET 100V P-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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SI4401DDY-T1-GE3 |
MOSFET 40V 16,1A P-CH MOSFET
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Vishay Halbleiter
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FDS6912A |
MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V
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Fairchild Halbleiter
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2N7002KT1G |
MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2,5 Ohm
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Einheitlich
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NX7002AK |
MOSFET 60 V, einzelne N-Chan-Grench-MOSFET
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Nexperia
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SIZ918DT-T1-GE3 |
MOSFET 30V 16A/28A 29/100W 12mohm / 3.7mohm@10V
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Vishay Halbleiter
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SI7998DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V
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Vishay Halbleiter
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IRFBF20PBF |
MOSFET N-Chan 900V 1,7 Ampere
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Vishay Halbleiter
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SI1034X-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 5,0 Ohm @ 4,5V
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Vishay Halbleiter
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IPA60R190P6 |
MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM
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Infineon Technologies
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