FDS6912A
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
Si
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
6 A
Montageart:
SMD/SMT
Handelsbezeichnung:
PowerTrench
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
SO-8
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Kanal-Modus:
Verbesserung
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
30 V
Verpackung:
Spirale
Produktkategorie:
MOSFET
Anzahl der Kanäle:
2 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
20 V
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
28 mOhms
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
Der FDS6912A von Fairchild Semiconductor ist ein MOSFET. Wir bieten einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Related Products
FDP3632
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
NDS9948
MOSFET Dual PCh PowerTrench
FQB30N06LTM
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
BSS138K
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
FQB34P10TM
MOSFET 100V P-Channel QFET
FQP14N30
MOSFET 300V N-Channel QFET
FQPF2N60C
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
FDPF10N60NZ
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
FDMS3500
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
FDMS8460
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
FDP3632 |
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
|
|
|
|
NDS9948 |
MOSFET Dual PCh PowerTrench
|
|
|
|
FQB30N06LTM |
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
|
|
|
|
BSS138K |
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
|
|
|
|
FQB34P10TM |
MOSFET 100V P-Channel QFET
|
|
|
|
FQP14N30 |
MOSFET 300V N-Channel QFET
|
|
|
|
FQPF2N60C |
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
|
|
|
|
FDPF10N60NZ |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
|
|
|
|
FDMS3500 |
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
|
|
|
|
FDMS8460 |
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
|
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: