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Getrennte Halbleiter-Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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DTC144EKAT146 |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC143EUAT106 |
Trans Prebias NPN 200 MW UMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC143ZKAT146 |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
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Rohm Halbleiter
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PDTC114YU,115 |
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die Berechnung der Leistungssumme.
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Nexperia USA Inc.
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PDTC144ET,215 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verwalten.
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Nexperia USA Inc.
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PDTC123JT,215 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verwalten.
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Nexperia USA Inc.
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DTB113ZKT146 |
Trans Prebias PNP 200 MW SMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC114YETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
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Rohm Halbleiter
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PD55003TR-E |
Fet-RF 40V 500MHZ PWRSO-10
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STMikroelektronik
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DTC043ZUBTL |
Trans Prebias NPN 50V UMT3F
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Rohm Halbleiter
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MRFE6VS25GNR1 |
Wird die Anlage in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen
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NXP USA Inc.
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DTC143EKAT146 |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC114EUAT106 |
Trans Prebias NPN 200 MW UMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC114EKAT146 |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
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Rohm Halbleiter
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DTA114EUAT106 |
Trans Prebias PNP 200 MW UMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC014EEBTL |
Trans Prebias NPN 50V 0,15W SC89
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Rohm Halbleiter
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MRFE6VP61K25HR6 |
Fet-RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
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NXP USA Inc.
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PDTC124ET,215 |
Trans Prebias NPN 250 MW bis 236 AB
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Nexperia USA Inc.
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MW6S010GNR1 |
Wird die Anlage in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen
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NXP USA Inc.
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MW6S004NT1 |
Fet-RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
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NXP USA Inc.
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2SK3557-7-TB-E |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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Einheitlich
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DTD113ZKT146 |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC123JETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC144EETL |
Trans Prebias NPN 150 MW EMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC043ZMT2L |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu überwachen.
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Rohm Halbleiter
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DTC123EKAT146 |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC143ZUAT106 |
Trans Prebias NPN 200 MW UMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC114YKAT146 |
Trans Prebias NPN 200 MW SMT3
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Rohm Halbleiter
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DTC043ZEBTL |
Trans Prebias NPN 50V EMT3F
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Rohm Halbleiter
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PDTC114YT,215 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verwalten.
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Nexperia USA Inc.
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PDTA114ET,215 |
Trans Prebias PNP 50V bis 236AB
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Nexperia USA Inc.
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SKY65050-372LF |
IC PHEMT 2,4 GHz 70MA LN SC70-4
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Skyworks Solutions Inc.
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PDTC114ET,215 |
Trans Prebias NPN 250 MW bis 236 AB
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Nexperia USA Inc.
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PD55015-E |
Fet-RF 40V 500MHZ PWRSO-10
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STMikroelektronik
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MRFE6VS25LR5 |
FET RF 133V 512MHZ NI360L
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NXP USA Inc.
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TFA87S |
SCR 700V 12,6A TO220F
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Sanken Electric USA Inc.
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70TPS12 |
SCR 1.2KV 75A SUPER-247
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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VS-70TPS12PBF |
SCR 1.2KV 75A SUPER-247
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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S8008DRP |
SCR 800V 8A TO252
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Ich bin nicht derjenige, der das sagt.
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S6X8TSRP |
SCR 600V 800MA SOT223
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Ich bin nicht derjenige, der das sagt.
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Für die Berechnung der Verbrennungsmenge |
SCR 1,2KV 55A bis 247AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
SCR 1,2KV 79A bis 247L
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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S6012DRP |
SCR 600V 12A TO252
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Ich bin nicht derjenige, der das sagt.
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S8055RTP |
SCR 800V 55A TO220
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Ich bin nicht derjenige, der das sagt.
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S6X8BSRP |
SCR 600V 800MA SOT89
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Ich bin nicht derjenige, der das sagt.
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