PDTC114YU,115
fabricant:
Nexperia USA Inc.
Beschreibung:
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die Berechnung der Leistungssumme.
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Häufigkeit - Übergang:
230 MHZ
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
100mV @ 250μA, 5mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-323
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Widerstand - Emitterbasis (R2):
47 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
1µA
Leistung - Max.:
200 mW
Packung / Gehäuse:
SC-70, SOT-323
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
100 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
PDTC114
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) NPN - 50 V 100 mA 230 MHz 200 mW mit vorgebildeter Oberflächenaufstellung SOT-323
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