DTC114EUAT106
fabricant:
Rohm Halbleiter
Beschreibung:
Trans Prebias NPN 200 MW UMT3
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Häufigkeit - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
UMT3
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Mfr:
ROHM Halbleiter
Widerstand - Emitterbasis (R2):
10 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
200 mW
Packung / Gehäuse:
SC-70, SOT-323
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
DTC114
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) NPN - Bipolartransistor 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Oberflächenhalter UMT3
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