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Speicher-ICs

BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

IC FLASH 32M PARALLEL 64EASYBGA
Mikrontechnologie
M25P128-VMF6PB

M25P128-VMF6PB

IC FLASH 128M SPI 54MHZ 16SO W
Mikrontechnologie
MT47H32M16NF-25E: H

MT47H32M16NF-25E: H

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
Mikrontechnologie
MT29F32G08CBACAWP-Z: C

MT29F32G08CBACAWP-Z: C

IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I
Mikrontechnologie
MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F

MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F

IC FLASH 64G PARALLEL 48TSOP I
Mikrontechnologie
N25Q256A81ESF40G

N25Q256A81ESF40G

IC FLASH 256M SPI 108MHZ 16SOP2
Mikrontechnologie
EDW4032BABG-70-F-D

EDW4032BABG-70-F-D

IC-RAM 4G PARALLEL 170FBGA
Mikrontechnologie
W25Q128FVSIQ

W25Q128FVSIQ

IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC
Winbond Elektronik
W25Q256FVEIQ

W25Q256FVEIQ

IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON
Winbond Elektronik
W25Q16DVSSIQ

W25Q16DVSSIQ

IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC
Winbond Elektronik
W25Q80BLUXIG

W25Q80BLUXIG

IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8USON
Winbond Elektronik
USE Gefahrenabweichung

USE Gefahrenabweichung

IC DRAM 4G PARALLEL 1 GHz 96FBGA
Mikrontechnologie
MT41K512M16HA-125:

MT41K512M16HA-125:

DRAM 8G 1,35V 512Mx16 800MHz DDR3 0C-90C
Mikrontechnologie
USE Gewichtung von Gewichtsverlust

USE Gewichtung von Gewichtsverlust

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
Mikrontechnologie
USE Gefahrenabweichung

USE Gefahrenabweichung

IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ
Mikrontechnologie
Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die Verwendung von Zellstoff.

Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die Verwendung von Zellstoff.

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
Mikrontechnologie
MT25QU512ABB8E12-0SIT

MT25QU512ABB8E12-0SIT

IC FLASH 512M SPI 133MHZ TBGA
Mikrontechnologie
MT28EW01GABA1LPC-0SIT

MT28EW01GABA1LPC-0SIT

IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA
Mikrontechnologie
USE Gewichtung der Gewichtung

USE Gewichtung der Gewichtung

IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
Mikrontechnologie
MT25QL128ABA8ESF-0SIT

MT25QL128ABA8ESF-0SIT

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2
Mikrontechnologie
W25Q64FVSSIQ

W25Q64FVSSIQ

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC
Winbond Elektronik
W25Q64FVZPIQ

W25Q64FVZPIQ

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON
Winbond Elektronik
MT25QU256ABA8ESF-0SIT

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
Mikrontechnologie
USE Gefahrenabweichung

USE Gefahrenabweichung

IC FLASH 256M PARALLEL 56VFBGA
Mikrontechnologie
USE Gefahrenabweichung

USE Gefahrenabweichung

IC DRAM 8G PARALLEL 1,2 GHz
Mikrontechnologie
MT40A1G8SA-075: E

MT40A1G8SA-075: E

IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
Mikrontechnologie
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:

MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:

IC FLASH 64G PARALLEL 166MHZ
Mikrontechnologie
N25Q128A13ESFA0F

N25Q128A13ESFA0F

IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOP2
Mikrontechnologie
MT25QL256ABA1EW9-0SIT

MT25QL256ABA1EW9-0SIT

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
Mikrontechnologie
MT28EW01GABA1HJS-0SIT

MT28EW01GABA1HJS-0SIT

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
Mikrontechnologie
USE Gefahrenabweichung

USE Gefahrenabweichung

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
Mikrontechnologie
USE Gefahrenabweichung

USE Gefahrenabweichung

IC DRAM 4G Parallel 800 MHz
Mikrontechnologie
MT28EW01GABA1LJS-0SIT

MT28EW01GABA1LJS-0SIT

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
Mikrontechnologie
MTA4ATF51264HZ-2G6E1

MTA4ATF51264HZ-2G6E1

IC DRAM 32G PARALLEL 1333 MHz
Mikrontechnologie
MT25QL128ABA8E12-0AAT

MT25QL128ABA8E12-0AAT

IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
Mikrontechnologie
MT25QL256ABA8E12-0AAT

MT25QL256ABA8E12-0AAT

IC FLASH 256M SPI 24TPBGA
Mikrontechnologie
MT25QU01GBBB8E12-0AAT

MT25QU01GBBB8E12-0AAT

IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
Mikrontechnologie
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F

MT29F1G01ABAFDWB-IT:F

IC FLASH 1G SPI UPDFN
Mikrontechnologie
MT29F2G08ABAGAH4-IT: G

MT29F2G08ABAGAH4-IT: G

IC FLASH 2G PARALLEL FBGA
Mikrontechnologie
MT2F2G16ABAEAWP-AIT:E

MT2F2G16ABAEAWP-AIT:E

IC FLASH 2G PARALLEL TSOP
Mikrontechnologie
MT29F4G16ABADAWP-AIT

MT29F4G16ABADAWP-AIT

IC FLASH 4G PARALLEL TSOP
Mikrontechnologie
MT25QL01GBBB8E12-0AUT

MT25QL01GBBB8E12-0AUT

IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
Mikrontechnologie
USE Gefahrenabweichung

USE Gefahrenabweichung

IC DRAM 16G PARALLEL 1,2 GHz
Mikrontechnologie
MT40A512M16LY-062E: E

MT40A512M16LY-062E: E

IC DRAM 8G PARALLEL 1,6 GHz
Mikrontechnologie
MT51J256M32HF-70:A

MT51J256M32HF-70:A

IC-RAM 8G PARALLEL 1,75 GHz
Mikrontechnologie
MTFC64GAJAECE-AIT

MTFC64GAJAECE-AIT

IC FLASH 512G MMC
Mikrontechnologie
MTFC16GAKAEEF-AIT

MTFC16GAKAEEF-AIT

IC FLASH 128G MMC
Mikrontechnologie
USE Gefahrenabweichung

USE Gefahrenabweichung

IC-RAM 8G PARALLEL 2,0 GHz FBGA
Mikrontechnologie
MTFC128GAPALNS-AIT

MTFC128GAPALNS-AIT

IC FLASH 1T MMC
Mikrontechnologie
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1224/2009 erfasst.

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1224/2009 erfasst.

IC FLASH 256G MMC
Mikrontechnologie
13 14 15 16 17