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Speicher-ICs
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. |
IC FLASH 512G MMC
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Mikrontechnologie
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MTFC8GAMALNA-AAT |
IC FLASH 64G MMC
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 4G PARALLEL 1067 MHz
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Mikrontechnologie
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MT35XU512ABA1G12-0AUT |
SERIAL NOR 512M MT35X 45NM IT
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Mikrontechnologie
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MT25QL01GBBB1EW9-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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MT25QL512ABB8E12-0AAT |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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MT25QU01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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MT25QU512ABB8ESF-0AAT |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 16G PARALLEL TSOP
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Mikrontechnologie
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MT29F2G01ABAGDWB-IT: G |
IC FLASH 2G SPI UPDFN
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC-RAM 8G PARALLEL 1,5 GHz FBGA
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Mikrontechnologie
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MTFC16GAPALNA-AAT |
EMMC 128G MMC5.1 J56X AAT
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Mikrontechnologie
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Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 übermittelt. |
EMMC 512G MMC5.1 J58X AAT
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Mikrontechnologie
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MT2F8G08ABABAWP-AITX:B |
IC FLASH 8G PARALLEL TSOP
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Mikrontechnologie
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MT40A1G16WBU-083E:B |
IC DRAM 16G PARALLEL 1,2 GHz
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
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Mikrontechnologie
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MT40A512M16JY-075E:B |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
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Mikrontechnologie
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MT25QU256ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
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Mikrontechnologie
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MT35XU512ABA1G12-0AAT |
Serial NOR SLC 64MX8 TBGA
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Mikrontechnologie
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MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 |
IC DRAM 288G PARALLEL 1467MHZ
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. |
IC FLASH 128G MMC
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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MTFC32GAPALBH-AIT |
IC FLASH 256G MMC
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
IC FLASH 512G MMC
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Mikrontechnologie
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MTFC64GAPALBH-AIT |
IC FLASH 512G MMC
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Mikrontechnologie
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MT25QU02GCBB8E12-0SIT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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N25Q032A13ESE40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
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Mikrontechnologie
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MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
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Mikrontechnologie
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W25Q32BVSSJG |
IC-Flash-Speicher 32 MB
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Winbond Elektronik
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MT25QL128ABB8E12-0AUT |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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K9F5608U0D-PCB |
32 M x 8 Bit NAND-Flashspeicher
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Halbleiter von Samsung
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K4A8G085WB-BCPB |
8 GB B-DIE DDR4 SDRAM
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Halbleiter von Samsung
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K4A8G165WC-BCTD |
8 GB B-DIE DDR4 SDRAM x16
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Halbleiter von Samsung
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K4B4G0846Q-HYK0 |
DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Spezifikation
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Halbleiter von Samsung
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K4T1G164QE-HCE7 |
1 GB E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA mit bleifreiem und halogenfreiem (RoHS-konform)
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Halbleiter von Samsung
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K9GAG08U0E-SCB0 |
16 GB E-Die NAND-Flash
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Halbleiter von Samsung
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K4G20325FD-FC03 |
Grafisches Gedächtnis
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Halbleiter von Samsung
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K4G41325FE-HC28 |
Grafisches Gedächtnis
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Halbleiter von Samsung
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K4E6E304EE-EGCF |
Speicher-IC
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Halbleiter von Samsung
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
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Mikrontechnologie
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MT25QL128ABA1ESE-MSIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
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Mikrontechnologie
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K4B1G1646G-BCH9 |
Spezifikation für 1 GB D-Die DDR3 SDRAM
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Halbleiter von Samsung
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K4G80325FB-HC25 |
Grafisches Gedächtnis
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Halbleiter von Samsung
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M29DW128G70NF6E |
NOR Flash Parallel 128Mbit 16 56/56
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STMikroelektronik
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AT25SF041-SSHD-T |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
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Adesto-Technologien
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MX25L12835FMI-10G |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOP
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MXIC, Macronix.
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MX25R2035FZUIL0 |
IC FLASH 2M SPI 33MHZ 8USON
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MXIC, Macronix.
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MX30LF2G18AC-TI |
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
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MXIC, Macronix.
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M24C64-RMN6TP |
IC EEPROM 64K I2C 1MHZ 8SO
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STMikroelektronik
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MX30LF1G18AC-TI |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
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MXIC, Macronix.
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