W987D6HBGX6E
fabricant:
Winbond Elektronik
Beschreibung:
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Technologie:
SDRAM – Mobiles LPSDR
Produktkategorie:
Speicher-ICs
Speichertypen:
Flüchtig
Fabrikbestand:
0
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15n
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt
Zugriffszeit:
5.4ns
Speicherformat:
DRAM
Status des Teils:
Nicht für neue Designs
Speichergröße:
128Mb (8M x 16)
Verpackung:
Tray
@ qty:
0
Betriebstemperatur:
-25°C | 85°C (TC)
Minimale Quantität:
312
Speicheroberfläche:
Parallel
Packung / Gehäuse:
54-TFBGA
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Uhrfrequenz:
166 MHz
Spannung - Versorgung:
10,7 V ~ 1,95 V
Reihe:
-
Hersteller:
Winbond Elektronik
Einleitung
Die W987D6HBGX6E, von Winbond Electronics, sind Speicher-ICs. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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