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Halbleiter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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FF150R12KS4 |
IGBT-Module 1200V 150A DUAL
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Infineon Technologies
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FF450R12KT4 |
IGBT-Module N-CH 1.2KV 580A
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Infineon Technologies
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IKQ100N60T |
IGBT 600V TO247-3
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Infineon Technologies
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FNA22512A |
IGBT-Module 1200V 25A Wechselrichter Smart Power Modul
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Fairchild Halbleiter
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FF200R12KT4 |
IGBT-Module N-CH 1,2 KV 320A
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Infineon Technologies
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FF600R12ME4 |
IGBT-Module IGBT 1200V 600A
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Infineon Technologies
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2MBI200U4H-120 |
IGBT-Modul
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Fuji Elektrik
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2SB1184TLQ |
Bei der Erstellung von Bipolartransistoren - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q
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Rohm Halbleiter
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NJVNJD2873T4G |
Bipolare Transistoren - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
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Einheitlich
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ZXTN649FTA |
Bipolare Transistoren - BJT Zetex Med. Power
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Dioden eingebunden
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2SA1900T100Q |
Bipolare Transistoren - BJT PNP 50V 1A SO-89
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Rohm Halbleiter
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DSA200200L |
Bipolare Transistoren - BJT SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2,9x2,8 mm
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Panasonics
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DSA7101R0L |
Bipolare Transistoren - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4,5x4,0 mm
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Panasonics
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2SC2412KT146R |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 50V 0,15A
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Rohm Halbleiter
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2SB1205T-TL-E |
Bipolare Transistoren - BJT BIP PNP 5A 20V
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Einheitlich
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FCX495TA |
Bipolar Transistor - mittlere Energie BJT NPN
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Dioden eingebunden
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2SC5200-O (Q) |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 230V 15A
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Toshiba
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BCW66HTA |
Bipolare Transistoren - BJT NPN mit niedriger Sättigung
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Dioden eingebunden
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MMBT3906-7-F |
Bipolare Transistoren - BJT 40V 300mW
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Dioden eingebunden
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Die Angabe des Zustands des Zustands der Zellstoffverbindungen ist in der Angabe des Zustands der Zellstoffverbindungen anzugeben. |
Bipolare Transistoren - BJT 40V 150mW
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Dioden eingebunden
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FZT651TA |
Bipolar Transistor - mittlere Energie BJT NPN
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Dioden eingebunden
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FZT857TA |
Bipolare Transistoren - BJT NPN Hochspannung
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Dioden eingebunden
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ZXTN2010ZTA |
Bipolare Transistoren - BJT 60V NPN Med Power
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Dioden eingebunden
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PZT2222AT1G |
Bipolare Transistoren - BJT 600mA 75V NPN
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Einheitlich
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MJD45H11-1G |
Bipolare Transistoren - BJT 8A 80V 20W PNP
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Einheitlich
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MMBTA42-7-F |
Bipolare Transistoren - BJT 300V 300mW
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Dioden eingebunden
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FZT657TA |
Bipolare Transistoren - BJT NPN Hochspannung
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Dioden eingebunden
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Die Bezeichnung "M" ist die Bezeichnung für die Bezeichnung der Beförderung. |
Bipolare Transistoren - BJT 200mA 60V NPN
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Einheitlich
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FMMT593TA |
Bipolare Transistoren - BJT PNP mittlere Leistung
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Dioden eingebunden
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2SA1837 |
Bipolare Transistoren - BJT PNP - 230V -1A 20W
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Toshiba
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FZT653TA |
Bipolar Transistor - mittlere Energie BJT NPN
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Dioden eingebunden
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FZT851TA |
Bipolare Transistoren - BJT NPN Hochstrom
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Dioden eingebunden
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2SA1774EBTLR |
Bipolare Transistoren - BJT TRANS GP BJT PNP 50V 0,15A 3-P
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Rohm Halbleiter
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SST3904T116 |
Bipolare Transistoren - BJT 40V 20MA
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Rohm Halbleiter
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2SC4672T100Q |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 50V 3A
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Rohm Halbleiter
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BCP56T1G |
Bipolare Transistoren - BJT 1A 100V NPN
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Einheitlich
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SST2222AT116 |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 40V 0,6A
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Rohm Halbleiter
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2SD1733TLR |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 80V 1A
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Rohm Halbleiter
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2SC3906KT146R |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 120V 50MA
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Rohm Halbleiter
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2SA1037AKT146Q |
Bipolare Transistoren - BJT PNP 50V 0,15A
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Rohm Halbleiter
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DSC7101R0L |
Bipolare Transistoren - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4,5x4,0 mm
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Panasonics
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2SB1260T100Q |
Bipolare Transistoren - BJT PNP 80V 1A SO-89
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Rohm Halbleiter
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2SD1898T100R |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 80V 1A
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Rohm Halbleiter
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2SC4061KT146N |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 300V 100MA
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Rohm Halbleiter
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2SD2351T106W |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 50V 150MA
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Rohm Halbleiter
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2SB1197KT146R |
Bipolare Transistoren - BJT PNP 32V 0,8A
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Rohm Halbleiter
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DSC2001R0L |
Bipolare Transistoren - BJT SM SIG TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
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Panasonics
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2SD1664T100R |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 32V 1A
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Rohm Halbleiter
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UMX1 |
Bipolare Transistoren - BJT DUAL NPN 12V 500MA
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Rohm Halbleiter
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FCX789ATA |
Bipolare Transistoren - BJT PNP hoher Gewinn
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Dioden eingebunden
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