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Gleichrichter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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MSS1P4HM3_A/H |
Diode SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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RB161QS-40T18R |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
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Rohm Halbleiter
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US1B-13-F |
Diode GEN PURP 100V 1A SMA
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Dioden eingebunden
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BAT60JFILM |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des E
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STMikroelektronik
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RB751VM-40TE-17 |
Diode SCHOTTKY 30V 30MA UMD2
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Rohm Halbleiter
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1SS355VMFHTE-17 |
Diode GEN PURP 80V 100MA UMD2
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Rohm Halbleiter
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BAT42W-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Panjit International Inc.
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ES1D |
Diode GEN PURP 200V 1A SMA
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SMC-Diodenlösungen
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PMEG3005AESFYL |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Nexperia USA Inc.
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B0530W-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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B130-13-F |
Diode Schottky 30V 1A SMA
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Dioden eingebunden
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Der Wert des Zinssatzes ist zu messen. |
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123
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Panjit International Inc.
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RB521SM-30T2R |
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2
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Rohm Halbleiter
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RB521S30,115 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Nexperia USA Inc.
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1N4007RLG |
Diode GEN PURP 1KV 1A axiale
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Einheitlich
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BAS16H,115 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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Nexperia USA Inc.
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BAV16W-7-F |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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Das ist BAS321.115 |
Dies ist der Fall, wenn die Zulassung nicht erlaubt ist.
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Nexperia USA Inc.
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RB751S40_R1_00001 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Panjit International Inc.
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1N4148W-E3-18 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Das ist BAS21.215 |
Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
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Nexperia USA Inc.
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VS-8EWF12S-M3 |
Diode GEN PURP 1,2 KV 8A TO252
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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PDS360-13 |
Diode Schottky 60V 3A POWERDI5
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Dioden eingebunden
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PDS1040-13 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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PDS560-13 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Dioden eingebunden
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PDS760-13 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
DPAK-Diode Schottky 100 V 5,5 A
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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VS-10MQ040NTRPBF |
Diode SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Stellenabschluss |
Diode Schottky 150V 2A SMA
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STMikroelektronik
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ES3DB-13-F |
Diode GEN PURP 200V 3A SMB
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Verwendung von Dioden.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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DFLS1200-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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ZHCS1000TA |
Diode Schottky 40V 1A SOT23-3
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Dioden eingebunden
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PMEG6030ELPX |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des E
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Nexperia USA Inc.
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SSA33L-E3/61T |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SBR3U30P1-7 |
Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Ansc
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Dioden eingebunden
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B330B-13-F |
Diode SCHOTTKY 30V 3A SMB
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Dioden eingebunden
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DFLS140L-7 |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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ZHCS350TA |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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S3JB-13-F |
Diode GEN PURP 600V 3A SMB
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Dioden eingebunden
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PMEG3020EP,115 |
Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Verwendung von
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Nexperia USA Inc.
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SBR2U60S1F-7 |
Dies ist der Fall, wenn die Anlage nicht in Betrieb ist.
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Dioden eingebunden
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STTH1R06A |
Diode GEN PURP 600V 1A SMA
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STMikroelektronik
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B340-13-F |
Diode SCHOTTKY 40V 3A SMC
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Dioden eingebunden
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Stellenabschluss |
Diode SCHOTTKY 100V 2A SMA
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STMikroelektronik
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B360A-13-F |
Diode Schottky 60V 3A SMA
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Dioden eingebunden
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S3MB-13-F |
Diode GEN PURP 1KV 3A SMB
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Dioden eingebunden
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S2M |
Einheit für die Berechnung der Leistung von elektrischen Antrieben
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Einheitlich
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