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Getrennte Halbleiter-Module
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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MDD310-16N1 |
Diskrete Halbleitermodule 310 Ampere 1600 V
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MCD220-12io1 |
Diskrete Halbleitermodule 220 Ampere 1200 V
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TD250N18KOF |
Diskrete Halbleitermodule 1800V 410A
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MEK600-04DA |
Diskrete Halbleitermodule 1200 Ampere 400 V
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MDD72-14N1B |
Diskrete Halbleitermodule 72 Ampere 1400 V
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
Getrennte Halbleiter-Module 1800V 410A DOPPEL
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MCC44-18io8B |
Diskrete Halbleitermodule 44 Ampere 1800 V
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VCO180-08io7 |
Diskrete Halbleitermodule 180 Ampere 800 V
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ND261N20K |
Diskrete Halbleitermodule 2000V 410A
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DD350N08K |
Diskrete Halbleitermodule Silizium-Doppler
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ND104N16K |
Diskrete Halbleitermodule 1600V 160A
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MCD95-18io1B |
Diskrete Halbleitermodule 95 Ampere 1800 V
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V61-14.100NS |
Getrennte Halbleiter-Module
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
Diskrete Halbleitermodule 1400V 410A DUAL
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MCC225-14io1 |
Diskrete Halbleitermodule 225 Ampere 1400 V
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MCC72-08io8B |
Diskrete Halbleitermodule 72 Ampere 800 V
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Diskrete Halbleitermodule 1600V 800A DUAL
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Die Ausrüstung ist in Form von einem Zustand, der sich in der Luft befindet. |
Diskrete Halbleitermodule 50 Ampere 600 V
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MCO600-20IO1 |
Diskrete Halbleitermodule 600 Ampere 2000 V
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MCD44-16io8B |
Diskrete Halbleitermodule 44 Ampere 1600 V
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MMO140-16io7 |
Diskrete Halbleitermodule 140 Ampere 1600 V
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Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 übermittelt. |
Diskrete Halbleitermodule GigaMOS-Grenz T2 HyperFET PWR MOSFET
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MCC72-08io1B |
Diskrete Halbleitermodule 72 Ampere 800 V
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MCD44-16io1B |
Diskrete Halbleitermodule 44 Ampere 1600 V
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TZ400N26KOF |
Diskrete Halbleitermodule 2600V 1050A Einzel
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MEK75-12DA |
Diskrete Halbleitermodule 150 Ampere 1200 V
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MDD310-20N1 |
Diskrete Halbleitermodule 310 Ampere 2000 V
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MDD312-12N1 |
Diskrete Halbleitermodule 312 Ampere 1200 V
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TZ530N36KOFS01 |
Getrennte Halbleiter-Module
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MCC56-08io8B |
Diskrete Halbleitermodule 56 Ampere 800 V
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MEE300-06DA |
Diskrete Halbleitermodule 300 Ampere 600 V
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MCO450-20io1 |
Diskrete Halbleitermodule 450 Ampere 2000 V
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MCC220-08io1 |
Diskrete Halbleitermodule 220 Ampere 800 V
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TZ800N12KOF |
Diskrete Halbleitermodule 1200V 1500A Einzel
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MCD162-18io1 |
Diskrete Halbleitermodule 162 Ampere 1800 V
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MCC220-18io1 |
Diskrete Halbleitermodule 220 Ampere 1800 V
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DD260N12K |
Diskrete Halbleitermodule 1200V 410A
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Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Vorkehrungen zu treffen. |
Diskrete Halbleitermodule 1600V 410A DUAL
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht. |
Diskrete Halbleitermodule 1600V 350A DUAL
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Die Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Diskrete Halbleitermodule 1600V 100A UN-CNTL
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MDD200-22N1 |
Diskrete Halbleitermodule 200 Ampere 2200 V
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MDD72-08N1B |
Diskrete Halbleitermodule 72 Ampere 800 V
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TD250N12KOF |
Diskrete Halbleitermodule 1200V 410A
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MCC132-08io1 |
Diskrete Halbleitermodule 132 Ampere 800 V
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
Diskrete Halbleitermodule 1200V 410A DUAL
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Die Ausnahme gilt für die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1235/2008 genannten Erzeugnisse. |
Diskrete Halbleitermodule 1200V 160A DUAL
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DZ600N16K |
Diskrete Halbleitermodule 1600V 1150A
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MCD250-12io1 |
Diskrete Halbleitermodule 250 Ampere 1200 V
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MCC26-08io1B |
Diskrete Halbleitermodule 26 Ampere 800 V
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DD171N12K |
Diskrete Halbleitermodule 1200V 270A
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