Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 übermittelt.
Beschreibung:
Diskrete Halbleitermodule GigaMOS-Grenz T2 HyperFET PWR MOSFET
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
Getrennte Halbleiter-Module
Montage-Stil::
SMD/SMT
Mindestbetriebstemperatur::
- 55 C
Packung / Koffer::
SOT-227B
Höchstbetriebstemperatur::
+ 175 C
Verpackung::
Schlauch
Reihe::
IXTN600N04
Typ::
TrenchT2 GigaMOS
Hersteller::
IXYS
Einleitung
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