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HF-FETs und MOSFETs
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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BLF244 |
BLF244 - VHF-Push-Pull-Power VDM
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Rochester Electronics, LLC.
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Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Fahrzeuge |
FET RF 65V 2,11 GHz NI780S-6
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NXP USA Inc.
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PD55003 |
Fet-RF 40V 500MHZ PWRSO-10
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STMikroelektronik
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BLF242 |
BLF242 - VHF PUSH-PULL POWER VDM
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Rochester Electronics, LLC.
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BLF1046 |
RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F
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Ampleon USA Inc.
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BLF177 |
BLF177 - HF/VHF POWER VDMOS TRAN
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Rochester Electronics, LLC.
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BLF1043 |
RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F
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Ampleon USA Inc.
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für |
NCH+NCH 2,5 V-Antriebsreihe
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Einheitlich
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BLF521 |
HF-Kleinesignal-Feld-Effekt TRA
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Ampleon USA Inc.
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2SJ615-TD-E |
PCH 4V-Laufwerk-Serie
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Einheitlich
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
RF MOSFET N-CHANNEL DE150
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IXYS-RF
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DE475-102N21A |
RF MOSFET N-CHANNEL DE475
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IXYS-RF
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DE375-102N12A |
RF MOSFET N-CHANNEL DE375
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IXYS-RF
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DE275-102N06A |
RF MOSFET N-CHANNEL DE275
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IXYS-RF
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
FET RF 2CH 65V 1,91 GHz NI780S-4
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NXP USA Inc.
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MRF8P9040NR1 |
Wir haben die Möglichkeit, die Daten zu übertragen.
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NXP USA Inc.
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MRF9045LR1 |
FET RF 65V 945 MHz NI-360
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NXP USA Inc.
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MRF6S19100HR3 |
FET RF 68V 1,99 GHz NI-780
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NXP USA Inc.
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MRF7S15100HR3 |
FET RF 65V 1,51 GHz NI780
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NXP USA Inc.
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Einheit für die Berechnung der Emissionsmengen |
FET RF 66V 880MHZ NI-780
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NXP USA Inc.
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MMBF4416 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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Einheitlich
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MRF282ZR1 |
Fet-RF 65V 2GHZ NI-200Z
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NXP USA Inc.
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MRF6VP3450HR6 |
Fet-RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
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NXP USA Inc.
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Die in Absatz 1 genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführt. |
Fet-RF 110V 220MHZ TO-270-4
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NXP USA Inc.
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MRF1517NT1 |
Fet-RF 25V 520MHZ PLD-1.5
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NXP USA Inc.
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MRF1513NT1 |
Fet-RF 40V 520MHZ PLD-1.5
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NXP USA Inc.
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PD84001 |
FET RF 18V 870 MHz
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STMikroelektronik
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PD85004 |
Fet-RF 40V 870MHZ
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STMikroelektronik
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MRF1511NT1 |
FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5
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NXP USA Inc.
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MRFE6S9045NR1 |
Fet-RF 66V 880MHZ TO-270-2
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NXP USA Inc.
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MRF1518NT1 |
Fet-RF 40V 520MHZ PLD-1.5
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NXP USA Inc.
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MRF8P29300HR6 |
Fet-RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
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NXP USA Inc.
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DU28200M |
MOSFET, 200W, 28V, 2 bis 175
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MACOM Technologielösungen
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NE3515S02-T1C-A |
HJ: Übermäßig geräuscharmer
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CEL
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PD55003-E |
Fet-RF 40V 500MHZ PWRSO10
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STMikroelektronik
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MRFE6VP61K25HR5 |
Fet-RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
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NXP USA Inc.
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VRF2933MP |
MOSFET-Hochfrequenz-N-Kanal 50V M177
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Mikrochiptechnik
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VRF151 |
Mosfet-Rf PWR N-CH 50V 150W M174
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Mikrochiptechnik
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MRFE6VP5600HR6 |
Fet-RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
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NXP USA Inc.
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MW6S010NR1 |
FET RF 68V 960MHZ TO270-2
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NXP USA Inc.
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MRF6VP3450HR5 |
Fet-RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
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NXP USA Inc.
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AFT09MS031NR1 |
Fet-RF 40V 870MHZ TO-270-2
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NXP USA Inc.
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MRFE6VP100HR5 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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NXP USA Inc.
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MRFE6S9060NR1 |
FET RF 66V 880MHZ TO270-2
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NXP USA Inc.
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ARF460AG |
FET RF N-CH 500V 14A TO247
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Mikrochiptechnik
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AFT27S006NT1 |
Wird die Leistung von LDMOS 28V PLD1.5W
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NXP USA Inc.
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MRFE6VP6300HR5 |
Fet-RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
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NXP USA Inc.
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PD55003L-E |
TRANSISTOR-RF 5X5 POWERFLAT
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STMikroelektronik
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Einheit für die Berechnung der Zulassung |
FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
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NXP USA Inc.
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PD55003TR-E |
Fet-RF 40V 500MHZ PWRSO-10
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STMikroelektronik
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