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Getrennte Halbleiter-Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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Einheit für die Überwachung der Luftfahrt. |
Diode Schottky 100V 5A bis 277A
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Bei der Prüfung der Ausrüstung werden die folgenden Anforderungen erfüllt: |
DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Der Wert des Zinssatzes ist zu messen. |
DIODE GEN PURP 600V 2A SMB
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Panjit International Inc.
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SB07-03C-TB-E |
DIODE SCHOTTKY 30V 700MA 3CP
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Einheitlich
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BYG23M-E3/TR |
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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RB051M-2YTR |
DIODE SCHOTTKY 20V 3A PMDU
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Rohm Halbleiter
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NRVBA160NT3G |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
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Einheitlich
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SK16 |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB
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SMC-Diodenlösungen
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BAS21W |
SOT-323, 250V, 0,2A, Schaltanlage D
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Taiwan Semiconductor Corporation
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VS-150EBU02 |
DIODE GP 200V 150A POWIRTAB
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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VS-40EPF12-M3 |
DIODE GP 1.2KV 40A TO247AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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APT30DQ60BG |
DIODE GP 600V 30A TO247
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Mikrochiptechnik
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MSS1P6-M3/89A |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A MICROSMP
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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1SS400 |
SOD-523F, 100V, 0,2A, Schaltanlage
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Taiwan Semiconductor Corporation
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1N4148WSQ-7-F |
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
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Dioden eingebunden
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BAT 54C |
SOT-23, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIOD
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Taiwan Semiconductor Corporation
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
Diode GEN PURP 200V 3A PMDTM
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Rohm Halbleiter
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S1M-13-F |
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
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Dioden eingebunden
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Bei der Beförderung von Fahrzeugen |
DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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1SS355 |
SOD-323F, 90V, 0.25A, SWITCHING
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Taiwan Semiconductor Corporation
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S3M-E3/57T |
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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BAS316 |
SOD-323, 100V, 0,25A, Schalter
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Taiwan Semiconductor Corporation
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Bei der Prüfung der Einhaltung der Vorschriften für die Berechnung der Zulassungsdauer |
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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DFLS130-7 |
DIODE SCHOTTKY 30V 1A PWRDI123
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
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STMikroelektronik
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1N6621US |
DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF
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Mikrochiptechnik
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Das System ist in der Lage, das System zu ersetzen. |
DIODE SCHOTTKY 20V 5A PMDTM
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Rohm Halbleiter
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GL41Y-E3/96 |
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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RB060MM-60TFTR |
RB060MM-60TF IS THE HIGH RELIABI
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Rohm Halbleiter
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SK34 |
Diode SCHOTTKY 40V 3A SMC
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SMC-Diodenlösungen
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VS-15ETH06-M3 |
DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
DIODE GP 200V 500MA DO219AB
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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RB160L-40TE25 |
DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDS
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Rohm Halbleiter
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RR268MM-600TFTR |
DIODE GEN PURP 400V 1A PMDU
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Rohm Halbleiter
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JANTX1N5619 |
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
DIODE GP 600V 500MA DO219AB
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführt. |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AA
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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PMEG40T30ERX |
DIODE SCHOTTKY 40V 3A SOD123W
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Nexperia USA Inc.
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Stellenabschluss |
DIODE SCHOTTKY 25V 2A SMB
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STMikroelektronik
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PMEG6020AELRX |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123W
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Nexperia USA Inc.
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PNE20020ERX |
DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123W
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Nexperia USA Inc.
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Bei der Beurteilung der Verzögerung |
DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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Einheit für die Überwachung der Sicherheit von Fahrzeugen |
DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AA
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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APT30DQ100BG |
DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführt. |
DIODE SCHOTTKY 30V 2A CLP1608-2L
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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RR2LAM4STR |
DIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM
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Rohm Halbleiter
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RB168VYM100FHTR |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A TUMD2M
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Rohm Halbleiter
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
Diode SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
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Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
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SDM20U30-7 |
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
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Dioden eingebunden
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