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Halbleiter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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IXFK26N120P |
MOSFET 26 Ampere 1200 V
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IXYS
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ATP113-TL-H |
MOSFET-Übergangseinrichtung
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Einheitlich
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SUM10250E-GE3 |
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
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Siliconix / Vishay
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IXFH16N50P |
MOSFET 500V 16A
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IXYS
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IRFP064PBF |
MOSFET N-Chan 60V 70 Ampere
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Vishay Halbleiter
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SI4532CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V
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Vishay Halbleiter
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FQA90N15 |
MOSFET 150V N-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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FDA59N30 |
MOSFET 500V NCH MOSFET
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Fairchild Halbleiter
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FQP22N30 |
MOSFET 300 V N-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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FQP4P40 |
MOSFET 400 V P-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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FQP70N10 |
MOSFET 100 V N-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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FDMC86260 |
MOSFET NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET
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Einheitlich
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FDMC86139P |
MOSFET PT5 100V/25V Pch Leistungsgraben Mosfet
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Fairchild Halbleiter
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FQPF7N80C |
MOSFET 800V N-Ch Q-FET Vorlauf C-Serie
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Fairchild Halbleiter
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FQB12P20TM |
MOSFET 200V P-Kanal QFET
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Fairchild Halbleiter
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IRF840APBF |
MOSFET N-Chan 500V 8,0 Ampere
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Vishay Halbleiter
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FQT4N20LTF |
MOSFET 200V Einzel
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Fairchild Halbleiter
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SI2307CDS-T1-GE3 |
MOSFET 30V 2,7A 1,8W 88 Mohms @ 10V
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Vishay Halbleiter
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NTZD3154NT1G |
MOSFET 20V 540mA Doppel-N-Kanal mit ESD
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Einheitlich
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NX7002BKR |
MOSFET 60V N-Kanal-Grench-MOSFET
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Nexperia
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SI7972DP-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
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Siliconix / Vishay
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IXTH110N10L2 |
MOSFET L2 Lineare Leistung MOSFET
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IXYS
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IPP60R125C6 |
MOSFET N-Ch 650V 30A TO220-3 CoolMOS C6
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Infineon Technologies
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SI7121DN-T1-GE3 |
MOSFET 30V 16A 52W 1,8mAh @ 10V
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Vishay Halbleiter
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SI1016X-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 700/1200 Mohms@4,5V
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Vishay Halbleiter
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BSC034N06NS |
MOSFETEN Unterschiedliche MOSFETEN
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Infineon Technologies
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IPA60R190C6 |
MOSFET N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6
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Infineon Technologies
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IPT004N03L |
MOSFET MV POWER MOS
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Infineon Technologies
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SI7997DP-T1-GE3 |
MOSFET -30V 5,5mOhm@10V 60A P-Ch G-III
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Vishay Halbleiter
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SIR870ADP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 6,6mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
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Vishay Halbleiter
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FDD8874 |
MOSFET 30V N-Kanal-PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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IRF520 PBF |
MOSFET N-Chan 100V 9,2 Ampere
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Vishay Halbleiter
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BSC097N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8
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Infineon Technologies
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SI4410BDY-T1-E3 |
MOSFET 30V 10A 2,5 W
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Vishay Halbleiter
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SI1869DH-T1-E3 |
MOSFET-Lastschalter 1,8 V RA W/ LEVEL SHIFT
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Vishay Halbleiter
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BSS84,215 |
MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA
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Nexperia
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Einheit für die Bereitstellung von Daten |
MOSFET N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6
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Infineon Technologies
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BSG0811ND |
MOSFETEN Unterschiedliche MOSFETEN
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Infineon Technologies
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Ipw65r045c7 |
MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
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Infineon Technologies
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FDS4435BZ |
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
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Einheitlich
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FDP20N50 |
MOSFET N-CH 500V 20A bis 220
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Einheitlich
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IRFP4868PBF |
MOSFET N-CH 300V 70A bis 247AC
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Infineon Technologies
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UA9638CDR |
IC VERDOPPELN HS-UNTERSCHIED-LINIE DRVR 8-SOIC
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Texas Instruments
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SP3232EEY-L/TR |
IC TXRX RS232 ESD WAHRES 16TSSOP
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MaxLinear, Inc.
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2SA1244-Y |
mit einer Leistung von mehr als 50 W
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Toshiba
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MK10DN512ZVLK10 |
ARM Mikroregler - MCU KINETIS 512K
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Freescale / NXP
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STR712FR2T6 |
ARM Mikrocontroller - MCU 256K Flash 64K RAM
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STMikroelektronik
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Max 853ESA |
Schaltspannungsregler Regulierte Negativladungspumpe
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Maxim integriert
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MK61FX512VMJ12 |
ARM Mikroregler - MCU KINETIS 512K ETHNET USB
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Freescale / NXP
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MK10DX128VMP5 |
ARM Mikrocontroller - MCU Kinetis 128K Flex
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Freescale / NXP
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