SI7850DP-T1-E3
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
27 nC @ 10 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (maximal):
± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Lieferanten-Gerätepaket:
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
22mOhm @ 10.3A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.8W (Ta)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6.2A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7850
Einleitung
N-Kanal 60 V 6.2A (Ta) 1.8W (Ta) Oberflächenhalter PowerPAK® SO-8
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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