Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
56 nC @ 4.5 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
Supplier Device Package:
8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11mOhm @ 13,7A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET Type:
P-Channel
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
2.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.5W (Ta)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
9.8A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4463
Einleitung
P-Kanal 20 V 9,8 A (Ta) 1,5 W (Ta) Oberflächenbefestigung 8-SOIC
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
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SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
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SI7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
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IRFP21N60LPBF |
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
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SIR880ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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