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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Fahrzeuge.

fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
29 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
5.1mOhm @ 10A, 10V
FET-Typ:
N-Kanal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (maximal):
+20V, -16V
Product Status:
Active
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1450 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
20A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SISA14
Einleitung
N-Kanal 30 V 20 A (Tc) 3,57 W (Ta), 26,5 W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
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