SQ2337ES-T1_BE3
fabricant:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
18 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
290mOhm @ 1.2A, 10V
FET Type:
P-Channel
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
6V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
80 V
Vgs (Max):
±20V
Produktstatus:
Aktiv
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
620 pF @ 40 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.2A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQ2337
Einleitung
P-Kanal 80 V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Oberflächenhalter SOT-23-3 (TO-236)
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
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SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
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SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
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SI7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
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IRFP21N60LPBF |
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SIR880ADP-T1-GE3 |
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SIR873DP-T1-GE3 |
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Siehe auch Anhang I Abschnitt I. |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
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SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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