MJD45H11G
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - BJT 8A 80V 20W PNP
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
PNP
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
8 A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
80 V
Packung / Gehäuse:
TO-252-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
90 MHZ
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
5 V
Reihe:
MJD45H11
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
5 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1 V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
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