NJVMJD31CT4G
fabricant:
Einheitlich
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
Durchs Loch
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
100 V
Packung / Gehäuse:
DPAK-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Reihe:
MJD31
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
5 V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
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