2SB1123S-TD-E
fabricant:
Einheitlich
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
PNP
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
- 4 A.
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
- 50 V
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
150 MHZ
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
- 60 V
Reihe:
2SB1123
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
- 6 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
- 0,3 V
Hersteller:
Ein- und zweimal
Einleitung
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